| 摘要 |
<p>Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren werden sowohl für grobe Leiterstrukturen (31) vorgesehene Bereiche (3) einer Leiterplatte (1) als auch für feinere Leiterstrukturen (41) der Leiterplatte (1) vorgesehene Bereiche jeweils durch Laserbearbeitung strukturiert. Dabei werden beide Bereiche (3, 4) zunächst mit einer durchgehenden Metallisierungsschicht überzogen und mit einem Ätzresist bedeckt. Die groben Leiterstrukturen werden mit einem Laserstrahl (14) größerer Wellenlänge durch Freilegen der nicht benötigten Metalloberflächen vorgegeben. Außerdem werden die feinen Leiterstrukturen durch Be-arbeiten des Ätzresists mit einem Laserstrahl (24) kleinerer Wellenlänge ebenfalls vorgefomt. Danach werden in einem gemeinsamen Ätzprozeß alle freigelegten Oberflächenbereiche der Metallschicht weggeätzt, so daß lediglich die von dem verbleibenden Ätzresist bedeckten groben und feinen Leiterbahnstrukturen stehen bleiben. Durch Entfernen des restlichen Ätzresists liegen dann die Oberflächen der erzeugten Leiterbahnen frei.</p> |
