非挥发性记忆装置及其制造方法

摘要

一种非挥发性记忆装置,具有较少接触的自我对准数组,为三多晶硅,并由源极侧注入,包括一金属覆盖字符线,包括:排列成列的具有第一、第二、与第三层多晶硅的多个叠层;一漏极区域,它位于每对多晶硅叠层的两叠层间,漏极区域以自我对准的方式形成在该两叠层的边缘间;以及一源极区,它利用形成在相邻两多晶硅叠层间的侧壁间隔物以自我对准的方式形成,因此源极区与两相邻多晶硅叠层间的距离相等。

主权项

1.一种非挥发性记忆装置的制造方法，它适用于一硅基板上，包括下列步骤：(A)于该基板上沿着一列形成多对叠层，各叠层具有第一与第二层多晶硅，而该第一层多晶硅与该基板绝缘，且该第二层多晶硅与该第一层多晶硅绝缘；(B)于位于该多晶硅叠层的各对叠层间的该基板中形成一漏极区，且各漏极区以自我对准的方式形成于两叠层的边缘；(C)于邻近每一多晶硅叠层的边缘形成侧壁上的间隔物；以及(D)在相邻两对多晶硅叠层间的该基板中形成一源极区，且每一源极区以自我对准的方式形成于该氧化物间隔物的边缘。