| 主权项 |
1.一种基于二氧化矽之消光剂,其特征为:它包括具 有2.5至20m粒子大小之二氧化矽粒子,及基于消光 剂计为0至65WT%之水份含量;且经以0.2至10WT%的-胺 基甲酸乙酯衍生物,或具有下列通式(I)的-胺基 甲酸乙酯衍生物的混合物所涂覆: R1-O-CO-NH-R3-NH-CO-NH-R5-NH-CO-NH-R4-NH-CO-OR2 (I) 其中R1和R2系彼此独立为CnH2n+1-或CmH2m+1(CpH2pO)r-,n=4- 22,m=1-18,p=2-4,r=1-10, R3和R4系彼此独立为2.如申请专利范围第1项之消光 剂,其中:包括具有5至15m粒子大小之二氧化矽粒 子。3.如申请专利范围第1项之消光剂,其中二氧化 矽粒子具有基于消光剂计为0至10WT%的水份含量。4 .如申请专利范围第1项之消光剂,其中二氧化矽粒 子具有基于消光剂计为30至65WT%的水份含量。5.如 申请专利范围第1项之消光剂,其中将二氧化矽粒 子涂覆以基于消光剂计为0.3至8WT%式(I)之-胺基 甲酸乙酯衍生物。6.如申请专利范围第1项之消光 剂,其中二氧化矽系选自矽酸水凝胶及/或矽酸乾 凝胶。7.如申请专利范围第1项之消光剂,其中在式 (I)之-胺基甲酸乙酯衍生物中,相互独立,n=4-18,m=1 -15,p=2或3,R3及R4系相互独立且宜是8.如申请专利范 围第1项之消光剂,其中-胺基甲酸乙酯衍生物具 有下式: 其中s+t=6-9而且s和t系大于或等于3。9.一种制备如 申请专利范围第1至8项中任一项的消光剂之方法, 其特征为:在其微粉化期间,将式(I)的-胺基甲酸 乙酯衍生物添加至二氧化矽。10.如申请专利范围 第9项之方法,其中-胺基甲酸乙酯衍生物系以包 括10至75WT%的-胺基甲酸乙酯衍生物之有机溶液 之形式而添加。11.如申请专利范围第10项之方法, 其中该有机溶剂是N-甲基咯烷酮。12.如申请专 利范围第9项之方法,其中微粉化系在使用热空气 之喷射研磨机中而进行。13.如申请专利范围第9项 之方法,其中矽酸水凝胶系在使用热空气之喷射研 磨机中予以微粉化以并乾燥成30至65WT%之水份含量 。14.如申请专利范围第9项之方法,其中矽酸乾凝 胶系在使用热空气之喷射研磨机中予以微粉化并 调节成0至10WT%之水份含量。15.如申请专利范围第1 至8项中之任一项之消光剂,其系用于水系涂覆剂 涂料或漆中。16.如申请专利范围第9至14项中之任 一项之方法,其中所得到消光剂系用于水系涂覆剂 涂料或漆中。17.如申请专利范围第1至8项中之任 一项之消光剂,其系用于水溶性辐射固化漆系统中 。18.如申请专利范围第9至14项中之任一项之方法, 其中所得到消光剂系用于水系溶性辐射固化漆系 统中。 |
