| 摘要 |
<p>본 발명은 단결정체의 제조방법과 단결정체 제조장치에 관한 것으로, 원료를 용융시킨 융액을 과냉각 상태의 입상융액으로 하고, 미소중력 환경하에서 부유시킨 상태로 융액의 표면의 일부를 자유에너지를 저하하여 단결정을 성장시키는 것에 의하여 입상의 단결정체를 제조하는 기술에 관한 것이다. 단결정체 제조장치(31)는, 골드이미지로(35), 챔버(33), 원료공급유지기구(38), 낙하튜브(36,37) 회전판(39), 회수조(40) 등을 구비하고, 반도체 재료로 되는 원료(32a)를 가열하여 용융시키고나서 낙하튜브(36,37) 내의 진공중을 자유낙하시키고, 낙하도중에 있어서 과냉각상태의 구상융액(32b)의 표면의 일부를 회전판(39)의 고체표면에 접촉시켜서 결정핵을 생성시키고, 그 후 결정핵에서 단결정이 성장하여 구상의 단결정체(32c)로 되고, 회수조(40) 내에서 회수한다.</p> |
