| 主权项 |
1.一种半导体检查装置,系具备有:设计特征项目资料作成装备,用以抽出由半导体装置之设计资料所构成检查对象之领域,将抽出后之领域分割成任意大小之格子在被取得之各格子领域将设计性的特征进行数値化并用以作成设计特征项目资料;特征分类资料作成装备,将该设计特征项目资料分类成所要之量数的集体并用以作成特征分类资料;抽样装备,对属于上述集体之前述格子领域的数量以固定之抽样比率由前述特征分类资料以随机用以抽出前述格子领域;及演算装备,接受根据前述设计资料藉由检查对被加工后之模式被取得有关缺陷的资料,该检查结果资料,及前述特征分类资料,根据前述抽样比率用以算出前述检查对象领域全体之缺陷数。2.如申请专利范围第1项所记载之半导体检查装置,其中有关前述缺陷之资料,系含缺陷程度之资料,而前述演算装备,系在前述各缺陷之程度用以输出上述缺陷总数者。3.如申请专利范围第1或2项所记载之半导体检查装置,其中有关前述缺陷之资料,系藉由比较根据前述设计资料之模拟结果的理想形状资料,及被加工后之上述模式中之缺陷形状资料被取得之资料者。4.如申请专利范围第1或2项所记载之半导体检查装置,其中前述特征分类资料作成装备,系使用类神经网路用以分类前述设计特征项目资料者。5.一种半导体缺陷解析装置,系具备有:设计资料处理部,根据设计资料用以检查被加工后之模式并接受有关被取得之实际的缺陷及缺陷程度的检查结果资料,根据该检查结果资料,做为参数在被赋予任意大小的格子将前述设计资料内之检查对象领域使发生前述缺陷之部位成为中心进行分割用以取得第1格子领域,同时根据前述检查结果资料,被加工后之上述模式中以适当使被加工之良品部位成为中心将检查对象领域以前述格子进行分割用以取得第2格子领域,在上述各第1格子领域将设计性的特微进行数値化并用以作成第1设计特征项目资料,同时在上述各第2格子领域用以作成第2设计特征项目资料;程序资料处理部,根据前述设计资接受有关于前述模式之加工的可观测之处理结果的资料,分别用以收集对应于前述第1格子领域内的模式之第1处理结果値及对应于前述第2格子领域内的模式之第2处理结果値;及不良发生规则作成部,组合前述第1设计特征项目资料及前述第1处理结果値,及组合前述第2设计特征项目资料及前述第2处理结果値,则将前述缺陷及前述缺陷之程度带有关联用以作成不良发生规则。6.如申请专利范围第5项所记载之半导体缺陷解析装置,其中前述设计资料处理部,系用以变更前述格子之大小,并分别对于复数之前述第1格子领域及复数之前述第2格子领域,用以作成前述第1设计特征项目资料及前述第2设计特征项目资料,而前述程序资料处理部,系分别对于复数大小之前述第1格子领域及复数之前述第2格子领域,用以作成前述第1处理结果値及前述第2处理结果値,而前述不良发生规则作成部,系组合前述格子大小及前述第1设计特征项目资料及前述第1处理结果値,以及组合前述格子大小及前述第2设计特征项目资料及前述第2处理结果値,则将前述缺陷及前述缺陷之程度带有关联用以作成前述不良发生规则者。7.一种半导体缺陷解析装置,系具备有:设计特征项目资料作成部,用以抽出由半导体装置之设计资料所构成检查对象之领域,将抽出后之领域分割成任意第1大小之格子在被取得之各格子领域将设计性的特征进行数値化并用以作成第1设计特征项目资料;特征分类资料作成部,将前述第1设计特征项目资料分类成所要之数量的集体并用以作成第1特征分类资料;抽样部,对属于前述集体之前述格子领域的数量以固定之抽样比率由前述第1特征分类资料以随机用以抽出前述格子领域;设计资料处理部,根据前述设计资料用以检查被加工后之模式并接受有关被取得之实际的缺陷及缺陷程度的检查结果资料,根据该检查结果资料,做为参数在被赋予任意第2大小的格子将前述检查对象领域使发生前述缺陷之部位成为中心进行分割用以取得第1格子领域,同时根据前述检查结果资料,被加工后之前述模式中以适当使被加工之良品部位成为中心将检查对象领域以前述第2大小格子进行分割用以取得第3格子领域,在前述各第2格子领域将设计性的特征进行数値化并用以作成第2设计特征项目资料,同时在前述各第3格子领域用以作成第3设计特征项目资料;程序资料处理部,根据前述设计资接受有关于前述模式之加工的可观测之处理结果的资料,分别用以收集对应于前述第2格子领域内的模式之第1处理结果値及对应于前述第3格子领域内的模式之第2处理结果値;及不良发生规则作成部,组合前述第2设计特征项目资料及前述第1处理结果値,及组合前述第3设计特征项目资料及前述第2处理结果値,则将前述缺陷及上述缺陷之程度带有关联用以作成不良发生规则。8.如申请专利范围第7项所记载之半导体缺陷解析装置,其中前述设计资料处理部,系用以变更前述第2之大小,并分别对于复数大小之前述第2格子领域及复数大小之前述第3格子领域,用以作成前述第2设计特征项目资料及前述第3设计特征项目资料,而前述程序资料处理部,系分别对于复数大小之前述第1格子领域及复数之前述第2格子领域,用以作成前述第1处理结果値及前述第2处理结果値,而上述不良发生规则作成部,系组合前述第2大小及前述第2设计特征项目资料及前述第1处理结果値,及组合前述第2大小及前述第3设计特征项目资料及前述第2处理结果値,则将前述缺陷及前述缺陷之程度带有关联用以作成前述不良发生规则。9.如申请专利范围第5乃至8项中任何一项所记载之半导体缺陷解析装置,其中有关前述缺陷之资料,系藉由比较根据前述设计资料之模拟结果的理想形状资料及被加工后之前述模式中之前述缺陷形状资料被作成之资料者。10.如申请专利范围第5乃至8项中任何其中一项所记载之半导体缺陷解析装置,其中前述不良发生规则作成部,系使用类神经网路用以作成前述不良发生规则。11.如申请专利范围第5乃至8项中任何一项所记载之半导体缺陷解析装置,其中前述不良发生规则作成部,系使用判定树(decision tree)用以作成前述不良发生规则。12.一种半导体设计资料修正装置,具备有:模式对照部,根据半导体装置之设计资料被作成,组合引起缺陷之设计性的特征及关连于该设计性的特征之处理结果个则用以解析缺陷之有无及其程度的相关关系并接受被取得之不良发生规则的供给,根据该不良发生规则,由前述设计资料用以抽出能引起缺陷之模式;设计资料修正部,对被抽出后之前述模式用以修正前述设计资料并做为被修正设计资料进行输出;被修正设计资料处理部,一起做为参数使用被赋予任意之格子大小及任意之格子间隔,将前述被修正设计资料以前述格子间隔及前述格子大小之任意的组合进行分割,分别对于被取得之格子领域,将设计性的特征进行数値化用以作成设计特征项目资料;及演算部,将前述设计特征项目资料与前述不良发生规则进行对照用以算出引起不良或然率的不良或然率。13.如申请专利范围第12项所记载之半导体设计资料修正装置,其中前述不良发生规则,系由申请专利范围第5乃至8项中任何一项所记载之半导体缺陷解析装置被供给者。14.一种半导体设计资料修正装置,系具备有:设计特征项目资料作成部,用以抽出由半导体装置之设计资料所构成检查对象之领域,将抽出后之领域分割成任意第1大小之格子在被取得之各格子领域将设计性的特征进行数値化并用以作成第1设计特征项目资料;特征分类资料作成部,将前述第1设计特征项目资料分类成所要之数量的集体并用以作成第1特征分类资料;抽样部,对属于前述集体之前述格子领域的数量以固定之抽样比率由前述第1特征分类资料以随机用以抽出前述格子领域;设计资料处理部,根据前述设计资料用以检查被加工后之模式并接受有关被取得之实际的缺陷及缺陷程度的检查结果资料,根据该检查结果资料,做为参数在被赋予任意第2大小的格子将前述检查对象领域使发生前述缺陷之部位成为中心进行分割用以取得第1格子领域,同时根据前述检查结果资料,被加工后之前述模式中以适当使被加工之良品部位成为中心将检查对象领域以前述第2大小格子进行分割用以取得第3格子领域,在前述各第2格子领域将设计性的特微进行数値化并用以作成第2设计特征项目资料,同时在前述各第3格子领域用以作成第3设计特征项目资料;程序资料处理部,根据前述设计资接受有关于前述模式之加工的可观测之处理结果的资料,分别用以收集对应于前述第2格子领域内的模式之第1处理结果値及对应于前述第3格子领域内的模式之第2处理结果値;不良发生规则作成部,组合前述第2设计特征项目资料及前述第1处理结果値,及组合前述第3设计特征项目资料及前述第2处理结果値,则将前述缺陷及前述缺陷之程度带有关联用以作成不良发生规则;模式对照部,根据前述不良发生规则,由前述设计资料用以抽出能引起缺陷之模式;设计资料修正部,对被抽出后之前述模式用以修正前述设计资料并做为被修正设计资料进行输出;被修正设计资料处理部,一起做为参数使用被赋予任意之第3格子大小及任意之格子间隔,将前述被修正设计资料以前述格子间隔及前述第3格子大小之任意的组合进行分割,分别对于被取得之第4格子领域,将设计性的特征进行数値化用以作成第4设计特征项目资料;及演算部,将前述第4设计特征项目资料与前述不良发生规则进行对照用以算出引起不良或然率的不良或然率。15.如申请专利范围第12或14项所记载之半导体设计资料修正装置,系将前述不良或然率与所要之临界値进行比较,使前述不良或然率到达前述所要之临界値为止,或使前述不良或然率成为最小値为止,将为了用以再度修正前述被修正设计资料之指令供给到前述设计资料修正装备及前述设计资料处理装备及前述演算装备。16.一种半导体检查方法,具备有:用以抽出由半导体装置之设计资料所构成检查对象之领域,做为参数在被赋予任意之大小的格子将前述检查对象领域进行分割用以作成格子领域之工程;在各格子领域将设计性的特征进行数値化并用以作成设计特征项目资料之工程;将该设计特征项目资料分类成所要之量数的集体并用以作成特征分类资料之工程;对属于前述集体之前述格子领域的数量以固定之抽样比率由前述特征分类资料以随机用以抽出前述格子领域之工程;及根据前述设计资料用以检查被加工后之模式被取得有关缺陷的资料,及前述特征分类资料,根据前述抽样比率用以算出前述检查对象领域全体之缺陷数的工程。17.如申请专利范围第16项所记载之半导体检查方法,其中用以算出上述缺陷数之工程,系根据被加工后之前述模式中的缺陷形状及上述设计资料与模拟结果的理想形状藉由用以抽出前述格子领域之工程在被抽出后之前述格子领域进行比较,并根据该比较结果含用以作成有关前述缺陷之资料的工程者。18.如申请专利范围第16或17项所记载之半导体检查方法,其中有关前述缺陷之资料,系含缺陷程度之资料,而用以算出前述缺陷之工程,系在前述每缺陷程度用以算出前述缺陷数之工程者。19.如申请专利范围第16或17项所记载之半导体检查方法,其中用以作成前述特征分类资料之工程,系含使用类神经网路用以分类前述设计特征项目资料之工程者。20.一种半导体缺陷解析方法,系具备有:根据设计资料用以检查被加工后之模式并根据有关被取得之实际的缺陷及缺陷程度的检查结果资料,做为参数在被赋予任意大小的格子将前述设计资料内之检查对象领域使发生前述缺陷之部位成为中心进行分割,在被取得之每第1格子领域将设计性的特征进行数値化用以作成第1设计特征项目资料之工程;根据前述设计资料根据有关于前述模式之加工的可观测之处理结果的资料,用以收集对应于前述第1格子领域内的模式之第1处理结果値之工程;根据前述检查结果资料使被加工后之良品部位成为中心将检查对象领域以前述格子进行分割,在被取得之每第2格子领域将设计性的特征进行数値化用以作成第2设计特征项目资料之工程;由前述处理结果之资料用以收集对应于前述第2格子领域内的模式之第2处理结果値之工程;及组合前述第1设计特征项目资料及前述第1处理结果値,及组合前述第2设计特征项目资料及前述第2处理结果値,则将前述缺陷及前述缺陷之程度带有关联用以作成不良发生规则之工程。21.如申请专利范围第20项所记载之半导体缺陷解析方法,其中用以作成前述不良发生规则之工程,系将前述格子之大小进行变更由用以作成前述第1设计特征项目资料之工程将用以收集前述第2处理结果値之工程为止在用以解析前述相关关系之前依顺序重复进行,并分别对于复数大小之前述第1格子领域,用以一作成前述第1设计特征项目资料,及前述第1处理结果値,并分别对于前述复数大小之前述第2格子领域在用以作成前述第2设计特征项目资料,及前述第2处理结果値之后,用以作成前述不良发生规则之工程。22.一种半导体缺陷解析方法,具备有:用以抽出由半导体装置之设计资料所构成检查对象之领域,做为参数在被赋予任意之第1大小的格子将前述检查对象领域进行分割用以作成第1格子领域之工程;在前述每第1格子领域将设计性的特征进行数値化并用以作成设计特征项目资料之工程;将该设计特征项目资料分类成所要之量数的集体并用以作成第1特征分类资料之工程;对属于前述集体之前述格子领域的数量以固定之抽样比率由前述特征分类资料以随机用以抽出前述格子领域之工程;根据前述设计资料用以检查被加工后之模式被取得有关实际之缺陷及缺陷之程度的检查结冥资料,做为参数在被赋予第2大小的格子将前述设计资料内之检查对象领域使发生前述缺陷之部位成为中心进行分割,在被取得之每第2格子领域将设计性的特征进行数値化用以作成第2设计特征项目资料之工程;根据前述设计资根据有关于前述模式之加工的可观测之处理结果的资料,用以收集对应于前述第2格子领域内的模式之第1处理结果値之工程;根据前述检查结果资料使被加工后之良品部位成为中心将检查对象领域以前述第2大小格子进行分割,在被取得之每第3格子领域将设计性的特征进行数値化用以作成第2设计特征项目资料之工程;由前述处理结果之资料用以收集对应于前述第3格子领域内的模式之第2处理结果値之工程;及组合前述第2设计特征项目资料及前述第1处理结果値,及组合前述第3设计特征项目资料及前述第2处理结果値,则将前述缺陷及前述缺陷之程度带有关联用以作成不良发生规则之工程。23.如申请专利范围第22项所记载之半导体缺陷解析方法,其中用以作成前述不良发生规则之工程,系将前述格子之前述第2大小进行变更由用以作成前述第2设计特征项目资料之工程将用以收集前述第2处理结果値之工程为止在用以解析前述相关关系之前依顺序重复进行,并分别对于复数大小之前述第2格子领域,用以作成前述第2设计特征项目资料,及前述第1处理结果値,并分别对于前述复数大小之前述第2格子领域在用以作成前述第2设计特征项目资料,及前述第2处理结果値之后,用以作成前述不良发生规则之工程。24.如申请专利范围第20乃至23项中任何一项所记载之半导体缺陷解析方法,其中用以作成前述不良发生规则之工程,系使用类神经网路用以解析前述相关关系者。25.如申请专利范围第20乃至23项中任何一项所记载之半导体缺陷解析方法,其中用以作成前述不良发生规则之工程,系使用判定树(decision tree)用以解析前述相关关系者。26.如申请专利范围第20乃至23项中任何一项所记载之半导体缺陷解析方法,其中前述检查结果资料,系根据前述设计资料之模拟结果的理想形状资料,及被加工后之前述模式中之缺陷的形状资料藉由比较被取得之资料者。27.一种半导体设计资料修正方法,具备有:根据半导体装置之设计资料被作成后,组合引起缺陷之设计性的特征及关连于该设计性的特征之处理结果値则根据显示缺陷之有无及其程度之关系的不良发生规则,由前述设计资料用以抽出能引起缺陷之模式的工程;对被抽出后之前述模式用以修正前述设计资料并做为被修正设计资料进行输出之工程;一起做为参数使用被赋予任意之大小格子及任意之格子间隔,将前述被修正设计资料以前述格子及前述格子间隔之任意的组合进行分割,分别对于被取得之格子领域,将设计性的特征加以数値化用以作成设计特征项目资料之工程;及将前述设计特征项目资料与前述不良发生规则进行对照用以算出引起不良或然率的不良或然率之工程。28.如申请专利范围第27项所记载之半导体设计资料修正方法,其中前述不良发生规则,系藉由如申请专利范围第20乃至23项中任何项所记载之半导体缺陷解析方法被作成者。29.一种半导体设计资料修正方法,具备有:用以抽出由半导体装置之设计资料所构成检查对象之领域,做为参数在被赋予任意之第1大小的格子将前述检查对象领域进行分割用以作成第1格子领域之工程;在前述每第1格子领域将设计性的特征进行数値化并用以作成第1设计特征项目资料之工程;将前述设计特征项目资料分类成所要之数量的集体并用以作成第1特征分类资料之工程;对属于前述集体之前述格子领域的数量以固定之抽样比率由前述特征分类资料以随机用以抽出前述格子领域之工程;根据前述设计资料用以检查被加工后之模式被取得有关实际之缺陷及缺陷之程度的检查结果资料,做为参数在被赋予第2大小的格子将前述设计资料内之检查对象领域使发生前述缺陷之部位成为中心进行分割,在被取得之每第2格子领域将设计性的特征进行数値化用以作成第2设计特征项目资料之工程;根据前述设计资根据有关于前述模式之加工的可观测之处理结果的资料,用以收集对应于前述第2格子领域内的模式之第1处理结果値之工程;根据前述检查结果资料使被加工后之良品部位成为中心将检查对象领域以前述第2大小格子进行分割,在被取得之每第3格子领域将设计性的特征进行数値化用以作成第2设计特征项目资料之工程;由前述处理结果之资料用以收集对应于前述第3格子领域内的模式之第2处理结果値之工程;及组合前述第2设计特征项目资料及前述第1处理结果値,及组合前述第3设计特征项目资料及前述第2处理结果値,则将前述缺陷及前述缺陷之程度带有关联用以作成不良发生规则之工程;根据前述不良发生规则,由前述设计资料用以抽出能引起缺陷之模式的工程;对被抽出后之前述模式用以修正前述设计资料并做为被修正设计资料进行输出之工程;一起做为参数使用被赋予任意之第3大小格子及任意之格子间隔,将前述被修正设计资料以前述第3格子及前述格子间隔之任意的组合进行分割,分别对于被取得之第4格子领域将设计性的特征加以数値化用以作成第4设计特征项目资料之工程;及将前述第4设计特征项目资料与前述不良发生规则进行对照用以算出引起不良或然率的不良或然率之工程。30.如申请专利范围第27乃至29项所记载之半导体设计资料修正方法,系将上述不良或然率与所要之临界値进行比较,使前述不良或然率到达上述所要之临界値为止,或使前述不良或然率成为最小値为止,由抽出前述模式之工程到算出前述不良或然率之工程为止进而具备重复之工程者。31.一种电脑可读取的记录媒体,使半导体检查方法以电脑执行用以记录程式,具备有:用以抽出由半导体装置之设计资料所构成检查对象之领域,做为参数在被赋予任意之大小的格子将上述检查对象领域进行分割用以作成格子领域之程序;在前述每格子领域将设计性的特征进行数値化并用以作成设计特征项目资料之程序;将前述设计特征项目资料分类成所要之数量的集体并用以作成特征分类资料之程序;对属于前述集体之前述格子领域的数量以固定之抽样比率由前述特征分类资料以随机用以抽出上述格子领域之程序;根据前述设计资料用以检查被加工后之模式被取得有关实际之缺陷的资料,及前述特征分类资料,根据前述抽样比率用以算出前述检查对象领域全体的缺陷数之程序。32.如申请专利范围第31项所记载之记录媒体,其中用以算出前述缺陷数之程序,系根据被加工后之前述模式中的缺陷形状及前述设计资料与模拟结果的理想形状藉由用以抽出前述格子领域之程序在被抽出后之前述格子领域进行比较,并根据该比较结果含用以作成有关前述缺陷之资料的程序者。33.如申请专利范围第31或32项所记载之记录媒体,其中有关前述缺陷之资料,系含缺陷程度之资料,而用以算出前述缺陷之程序,系在前述每缺陷程度用以算出前述缺陷数之程序者。34.如申请专利范围第31或32项所记载之记录媒体,其中用以作成前述特征分类资料之程序,系含使用类神经网路用以分类前述设计特征项目资料之程序者。35.一种电脑可读取的记录媒体,使半导体缺陷解析方法以电脑执行用以记录程式,具备有:根据设计资料用以检查被加工后之模式并根据被取得有关实际之缺陷及缺陷之程度的检查结果资料,做为参数在被赋予任意之大小的格子将前述设计资料内之检查对象领域使发生前述缺陷之部位成为中心进行分割,在被取得之每第1格子领域将设计性的特征进行数値化用以作成第1设计特征项目资料之程序;根据前述设计资根据有关于前述模式之加工的可观测之处理结果的资料,用以收集对应于前述第1格子领域内的模式之第1处理结果値之程序;根据前述检查结果资料使被加工后之良品部位成为中心将检查对象领域以前述格子进行分割,在被取得之每第2格子领域将设计性的特征进行数値化用以作成第2设计特征项目资料之程序;由前述处理结果之资料用以收集对应于前述第2格子领域内的模式之第2处理结果値之程序;及组合前述第1设计特征项目资料及前述第1处理结果値,及组合前述第2设计特征项目资料及前述第2处理结果値,则将前述缺陷及前述缺陷之程度带有关联用以作成不良发生规则之程序。36.如申请专利范围第35项所记载之记录媒体,其中用以作成前述不良发生规则之程序,系将前述格子之大小进行变更由用以作成前述第1设计特征项目资料之程序将用以收集前述第2处理结果値之程序为止在用以解析前述相关关系之前依顺序重复进行,并分别对于复数大小之前述第1格子领域,用以作成前述第1设计特征项目资料,及前述第1处理结果値,并分别对于前述复数大小之前述第2格子领域在用以作成前述第2设计特征项目资料,及前述第2处理结果値之后,用以作成前述不良发生规则之程序者。37.一种电脑可读取的记录媒体,使半导体缺陷解析方法以电脑执行用以记录程式,具备有:用以抽出由半导体装置之设计资料所构成检查对象之领域,做为参数在被赋予任意之第1大小的格子将前述检查对象领域进行分割用以作成第1格子领域之程序;在前述每第1格子领域将设计性的特征进行数値化并用以作成第1设计特征项目资料之程序;将前述设计特征项目资料分类成所要之数量的集体并用以作成第1特征分类资料之程序;对属于前述集体之前述格子领域的数量以固定之抽样比率由前述特征分类资料以随机用以抽出前述格子领域之程序;根据前述设计资料用以检查被加工后之模式被取得有关实际之缺陷及缺陷之程度的检查结果资料,做为参数在被赋予第2大小的格子将前述设计资料内之检查对象领域使发生前述缺陷之部位成为中心进行分割,在被取得之每第2格子领域将设计性的特征进行数値化用以作成第2设计特征项目资料之程序;根据前述设计资根据有关于前述模式之加工的可观测之处理结果的资料,用以收集对应于前述第2格子领域内的模式之第1处理结果値之程序;根据前述检查结果资料使被加工后之良品部位成为中心将检查对象领域以前述第2大小格子进行分割,在被取得之每第3格子领域将设计性的特征进行数値化用以作成第2设计特征项目资料之程序;由前述处理结果之资料用以收集对应于上述第3格子领域内的模式之第2处理结果値之程序;及组合前述第2设计特征项目资料及前述第1处理结果値,及组合前述第3设计特征项目资料及前述第2处理结果値,则将前述缺陷及前述缺陷之程度带有关联用以作成不良发生规则之程序。38.如申请专利范围第37项所记载之记录媒体,其中用以作成前述不良发生规则之程序,系将前述格子之前述第2大小进行变更由用以作成前述第2设计特征项目资料之程序将用以收集前述第2处理结果値之程序为止在用以解析前述相关关系之前依顺序重复进行,并分别对于复数大小之前述第2格子领域,用以作成前述第2设计特征项目资料,及前述第1处理结果値,并分别对于前述复数大小之前述第2格子领域在用以作成前述第2设计特征项目资料,及前述第2处理结果値之后,用以作成前述不良发生规则之程序者。39.如申请专利范围第35乃至38项中任何一项所记载之记录媒体,其中用以作成前述不良发生规则之程序,系使用类神经网路用以解析前述相关关系者。40.如申请专利范围第35乃至38项中任何一项所记载之记录媒体,其中用以作成前述不良发生规则之程序,系使用判定树(decision tree)用以解析上述相关关系者。41.如申请专利范围第35乃至38项中任何一项所记载之记录媒体,其中前述检查结果资料,系根据前述设计资料之模拟结果的理想形状资料,及被加工后之前述半导体装置中之缺陷的形状资料藉由比较被取得之资料者。42.一种电脑可读取的记录媒体,使半导体设计资料修正方法以电脑执行用以记录程式,具备有:根据半导体装置之设计资料被作成后,组合引起缺陷之设计性的特征及关连于该设计性的特征之处理结果値则根据显示缺陷之有无及其程度之关系的不良发生规则,由前述设计资料用以抽出能引起缺陷之模式的程序;对被抽出后之前述模式用以修正前述设计资料并做为被修正设计资料进行输出之程序;一起做为参数使用被赋予任意之大小格子及任意之格子间隔,将前述被修正设计资料以前述格子及前述格子间隔之任意的组合进行分割,分别对于被取得之格子领域将设计性的特征加以数値化用以作成设计特征项目资料之程序;及将前述设计特征项目资料与前述不良发生规则进行对照用以算出引起不良或然率的不良或然率之程序。43.如申请专利范围第42项所记载之记录媒体,其中前述不良发生规则,系藉由如申请专利范围第20乃至23项中任何一项所记载之半导体缺陷解析方法被作成者。44.一种电脑可读取的记录媒体,系使半导体设计资料修正方法以电脑执行用以记录程式,具备有:用以抽出由半导体装置之设计资料所构成检查对象之领域,做为参数在被赋予任意之第1大小的格子将前述检查对象领域进行分割用以作成第1格子领域之程序;在前述每第1格子领域将设计性的特征进行数値化并用以作成第1设计特征项目资料之程序;将前述设计特征项目资料分类成所要之数量的集体并用以作成第1特征分类资料之程序;对属于前述集体之前述格子领域的数量以固定之抽样比率由前述特征分类资料以随机用以抽出前述格子领域之程序;根据前述设计资料用以检查被加工后之模式被取得有关实际之缺陷及缺陷之程度的检查结果资料,做为参数在被赋予第2大小的格子将前述设计资料内之检查对象领域使发生前述缺陷之部位成为中心进行分割,在被取得之每第2格子领域将设计性的特征进行数値化用以作成第2设计特征项目资料之程序;根据前述设计资根据有关于前述模式之加工的可观测之处理结果的资料,用以收集对应于前述第2格子领域内的模式之第1处理结果値之程序;根据前述检查结果资料使被加工后之良品部位成为中心将检查对象领域以前述第2大小格子进行分割,在被取得之每第3格子领域将设计性的特征进行数値化用以作成第2设计特征项目资料之程序;由前述处理结果之资料用以收集对应于前述第3格子领域内的模式之第2处理结果値之程序;组合前述第2设计特征项目资料及前述第1处理结果値,及组合前述第3设计特征项目资料及前述第2处理结果値,则将前述缺陷及前述缺陷之程度带有关联用以作成不良发生规则之程序;根据前述不良发生规则,由前述设计资料用以抽出能引起缺陷之模式的程序;对被抽出后之前述模式用以修正前述设计资料并做为被修正设计资料进行输出之程序;一起做为参数使用被赋予任意之第3大小格子及任意之格子间隔,将前述被修正设计资料以前述第3大小之格子及前述格子间隔之任意的组合进行分割,分别对于被取得之第4格子领域将设计性的特征加以数値化用以作成第4设计特征项目资料之程序;及将前述第4设计特征项目资料与前述不良发生规则进行对照用以算出引起不良或然率的不良或然率之程序。45.如申请专利范围第42或44项所记载之记录媒体,系将前述不良或然率与所要之临界値做比较,使前述不良或然率到达前述所要之临界値为止,或使前述不良或然率成为最小値为止,由抽出前述模式之程序到算出前述不良或然率之程序为止进而具备重复之程序者。图式简单说明:图1系显示有关本发明半导体检查装置之实施一形态的方块图。图2系用以说明有关本发明半导体之实施一形态的流程图。图3系用以说明图2所示方法之格子分割的模式图。图4系用以说明设计特征项目资料之模式图。图5系显示图2所示检查方法中,以设计性的特征之一的模式占有率进行分类时之分类例及其分类之矩形图。图6系图2所示之检查方法中,用以说明被加工后之模式及理想形状之图像比较的模式图。图7系显示图2所示检查方法中,算出含缺陷之全格子数及全缺陷数的方法图。图8系显示有关本发明半导体缺陷解析装置之第1实施形态方块图。图9系用以说明有关本发明半导体缺陷解析装置之第1实施形态流程图。图10系显示有关本发明半导体缺陷解析装置之第2实施形态方块图。图11系用以说明有关本发明半导体缺陷解析装置之第2实施形态流程图。图12系用以说明有关本发明半导体缺陷解析方法之第2实施形态流程图。图13系显示有关本发明半导体设计资料修正装置之第1实施形态方块图。图14系用以说明有关本发明半导体设计资料修正方法之第1实施形态流程图。图15系显示有关本发明半导体设计资料修正装置之第2实施形态方块图。图16系用以说明有关本发明半导体设计资料修正方法之第2实施形态流程图。图17系用以说明有关本发明半导体设计资料修正方法之第2实施形态流程图。图18系用以说明有关本发明半导体设计资料修正方法之第2实施形态流程图。图19系用以说明先前之技术的模式图。 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