半导体器件

摘要

半导体器件具备:有选择地形成在有源层表面的基极层;有选择地形成在基极层表面的源极层;在有源层表面上离开上述基极层有选择地形成的阳极层;形成在用基极层和阳极层夹着的区域表面的漏极层;形成在用基极层和漏极层夹着的区域的表面的电阻层;经过栅绝缘膜形成在用源极层和有源层夹着的区域的上述基极层上的栅电极,在基极层和源极层的表面上形成源电极,在漏极层和阳极层的表面上形成漏电极。

主权项

1.一种半导体器件，其特征在于具备：第2导电类型的基极层，它被有选择地形成在第1导电类型的有源层的表面；第1导电类型的源极层，它被有选择地形成在该基极层的表面；第2导电类型的阳极层，在上述有源层的表面上和离开上述基极层有选择地形成；第1导电类型的漏极层，被形成在用上述基极层和上述阳极层夹着的区域的表面；第1导电类型的电阻层，被形成在用上述基极层和上述漏极层夹着的区域的表面；栅电极，经过栅绝缘膜被形成在用上述源极层和上述有源层夹着的区域的上述基极层上，源电极形成在上述基极层和上述源极层的表面上，漏电极形成在上述漏极层和上述阳极层的表面上。