| 摘要 |
<p>반도체기판에 질소이온을 주입할 때 반도체기판에 결함이 발생되는 것을 억제하고, 또한 낮은 깊이에 질소이온을 주입할 수 있는 반도체소자의 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 이와 같은 목적을 달성하기 위한 반도체소자의 제조방법은 반도체기판의 일영역에 게이트절연막과 게이트전극을 적층 형성하는 공정, 상기 전면에 얇게 제 1 절연막을 증착하는 공정, 상기 제 1 절연막이 형성된 상기 반도체기판에 질소이온을 주입하는 공정, 상기 반도체기판에 저농도 불순물영역을 형성하는 공정, 상기 제 1 절연막상에 제 2 절연막을 증착하는 공정, 상기 제 1 절연막과 제 2 절연막을 식각하여 상기 게이트절연막과 상기 게이트전극 양측면 및 그에 인접한 상기 반도체기판상에 제 1 측벽스페이서와, 상기 제 1 측벽스페이서 양측 및 그 상에 제 2 측벽스페이서를 형성하는 공정, 상기 게이트전극과 상기 제 1, 제 2 측벽스페이서 하부를 제외한 양측의 상기 반도체기판내에 제 2 불순물영역을 형성함을 특징으로 한다.</p> |
