| 摘要 |
Auf einer horizontalen Oberfläche einer Grundschicht (G) aus monokristallinem Halbleitermaterial wird eine erste isolierende Schicht (I1), daüber eine Basisanschlußschicht (BA) aus Polysilizium und darüber eine zweite isolierende Schicht (I2) erzeugt. Zur Erzeugung einer Vertiefung (V) werden die zweite isolierende Schicht (I2) und die Basisanschlußschicht (BA) strukturiert, bis ein Teil der ersten isolierenden Schicht (I1) freigelegt wird, so daß seitliche Flächen der Basisanschlußschicht (BA) gebildet werden. Der freigelegte Teil der ersten isolierenden Schicht (I1) wird geätzt, bis die Grundschicht (G) freigelegt wird. Zur Erzeugung einer Basisschicht (B) wird eine selektive Epitaxie durchgeführt, bis die Basisschicht (B) dicker als die erste isolierende Schicht (I1) ist. Da monokristalline Teile, die auf der Grundschicht (G) aufwachsen, und polykristalline Teile, die auf den seitlichen Flächen der Basisanschlußschicht (BA) aufwachsen, zumindest teilweise in Kontakt miteinander aufwachsen, ist der elektrische Widerstand zwischen diesen Teilen sehr gering.
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