形成超微细图案的方法

摘要

一种形成半导体器件超微细图案的方法，其步骤为：在底层上涂覆光刻胶薄膜；通过掩模先接受一次曝光，光能量小于薄膜厚度的阈能；掩模位移预定距离后，再接受小于阈能的第二次曝光；显影完全除去两次曝光重叠区域及半除去一次曝光区域，形成光刻胶薄膜图案，再沉积上隔离层；对隔离层进行各向异性腐蚀，在光刻胶图案线条侧壁上剩下隔离物；再对光刻胶薄膜图案和底层进行干腐蚀，形成具有超微细宽度和超微细间距的底层图案。$＃!

主权项

1．一种形成半导体器件超微细图案的方法，其步骤为：在要制作图案的底层上面涂覆一层光刻胶薄膜；通过一个具有铬图案的掩模让该光刻胶薄膜先接受一次曝光，所曝光的能量小于对应于光刻胶薄膜厚度的阈能；在将所述掩模位移一预定距离之后，再令该光刻胶薄膜接受小于该阈能的第二次曝光，其中第一次曝光能量所对应的光刻胶薄膜厚度与第二次曝光能量所对应的光刻胶薄膜厚度之和大于或等于光刻胶薄膜的最初厚度；将经曝光的光刻胶薄膜进行显影处理，以完全除去第一次曝光区与第二次曝光区相重叠的薄膜区域以及除去仅一次曝光的薄膜区域，形成了光刻胶薄膜图案，其线条具有四面侧壁；在生成的整个图案结构上沉积上一种绝缘层；对此绝缘层进行各向异性腐蚀，结果在光刻胶薄膜图案的线条的侧壁上剩下绝缘隔离物；以这些隔离物作为掩模对光刻胶薄膜图案和底层进行干腐蚀，这样就形成了具有超微细宽度和超微细间距的底层图案。