| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체장치의 캐패시터 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히, 캐패시터의 반구형 돌출부위를 갖는 스토리지 전극을 형성한 다음 돌출 부위에 선택적으로 도전층을 형성하여 소집적 메모리 소자의 정전용량 확보에 유리하고 또한 셀부와 페리부의 단차를 감소시키도록한 반도체장치 캐패시터의 스토리지전극 및 그 형성방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 반도체장치의 캐패시터는 반도체기판과, 반도체기판의 소정 부위에 형성된 불순물영역과, 불순물영역을 노출시키는 접촉구를 가지며 반도체기판상에 형성된 절연층과, 접촉구를 매립하는 도전성 플러그와, 플러그와 접촉하며 절연층 위에 형성된 불규칙한 형태를 갖는 하부전극과, 하부전극을 덮는 금속층과, 금속층 표면에 형성된 유전막과, 유전막 위에 형성된 상부전극을 포함하여 이루어진다. 반도체장치의 캐패시터 제조방법은 불순물 확산영역을 갖고 층간절연층으로 덮인 반도체기판에 층간절연층의 소정 부위를 제거하여 불순물 확산영역의 일부 표면을 노출시키는 접촉구를 형성하는 단계와, 확산영역과 전기적으로 연결되고 접촉구를 매립하는 도전성 플러그를 형성하는 단계와, 플러그 상부표면으로 부터 층간절연층의 일부 표면으로 연장되고 불규칙한 표면을 갖는 하부전극을 형성하는 단계와, 하부전극을 덮는 도전막을 형성하는 단계와, 도전막 위에 유전막을 형성하는 단계와,유전막 위에 상부전극을 형성하는 단게를 포함하여 이루어진다.</p> |
