| 主权项 |
1.一种晶片型高精度低阻元件之制作方法,包括下列 步骤:以电阻温度系数(TCR)极低之合金金属作为基材;利用具有精确尺寸的冲压模具,冲制出元件所需尺寸之基板;于电极区部位作绝缘覆盖;将元件本体电阻构成区四面以绝缘被覆;将电极区部位绝缘去除;将电极电镀以制作电极结构,建立元件于使用时之焊接介面,同时降低电极区之整体电阻;藉着测试与修整元件阻値及阻値,将元件阻値精度调整至所需误差値之内;阻値修整区以绝缘涂布而将修整后之元件本体暴露区重新再加以绝缘被覆;元件冲压成形制程将完成上述制程的带状相连元件冲压成单颗晶片形元件。2.如申请专利范围第1项之晶片型高精度低阻元件之制作方法,其中,基材为圆形金属线材滚压而得者。3.如申请专利范围第1项之晶片型高精度低阻元件之制作方法,其中,基材为方形金属板材者。4.如申请专利范围第1项之晶片型高精度低阻元件之制作方法,其中,电极区部位之绝缘覆盖系以胶带作元件电极区之双面贴附者。5.如申请专利范围第4项之晶片型高精度低阻元件之制作方法,其中,将电极区部位绝缘去除制程系将胶带剥离者。图式简单说明:第一图为习见机板铜箔布线之低阻元件示意图,其中第一图A为平面图,第一图B为横截面图,第一图C为纵截面图;第二图为习见合金金属线之低阻元件及其使用方式示意图,其中第二图A为平面图,第二图B图为横截面图,第二图C为纵截面图;第三图为习见薄膜式晶片型低阻元件之示意图,其中第三图A为平面图,第三图B为横截面图,第三图C为纵截面图;第四图为习见厚膜式晶片型低阻元件之示意图,其中第四图A为平面图,第四图B为横截面图,第四图C为纵截面图;第五图为薄膜式晶片型低阻元件TCR计算尺寸说明图;第六图为本发明之晶片型高精度低阻元件图,其中第六图A为平面图,第六图B为横截面图,第六图C为纵截面图;第七图A-第七图J为本发明制作方法之制程图; |
