| 主权项 |
1.一种合成多孔结晶物质,其具有包括下列莫耳关 系之组成: X2O3:(n)YO2, 其中n为15至200,X系选自硼,铁,铟,镓,铝及其组合;且 Y系选自矽,锡,锗及其组合,其特征在于其系以包含 如表1中所列之値之X-射线绕射图形 表I 平面间之d-间隔(A)100 相对强度,I/Iox 11.69 0.50 m-s 8.02 0.15 vw-w 6.94 0.13 vw 6.34 0.20 vw-w 5.40 0.12 vw-w 5.11 0.10 vw 4.85 0.10 vw-w 4.31 0.12 vs 3.92 0.15 vw-m 3.79 0.08 vw-w 3.69 0.08 vw-m 3.37 0.08 vw 3.26 0.10 vw-w 3.16 0.06 vw-w2.850 0.06 vw-w 2.806 0.05 vw-w 2.680 0.05 vw-w 2.617 0.05 vw 2.491 0.08 vw-w 2.380 0.06 wv 2.318 0.06 vw 2.276 0.08 vw 2.042 0.05 wv 1.913 0.06 vw 1.895 0.06 vw。 2.根据申请专利范围第1项之结晶物质,其组成以无 水基准及每n莫耳YO2之氧化物莫耳数为准,系以下 式表示: (0.5-5.0)M2O:(0.5-3.0)R:X2O3:nYO2 其中M包括钾且R为有机部份。3.根据申请专利范围 第2项之结晶物质,其中R系选自包含15-冠-5,18-冠-6, 及其混合物之冠状醚。4.一种触媒组合物,其包含 以重量计1至90百分比之根据申请专利范围第1项之 结晶物质及基质。5.根据申请专利范围第4项之组 合物,其中该基质包括氧化铝,氧化矽,氧化锆,氧化 钛,氧化镁,氧化铍或其组合。6.一种用于合成多孔 结晶物质之方法,该物质显现包含如表I中所示之d- 间隔最大値之特性X-射线统射图形 表I 平面间之d-间隔(A)100 相对强度,I/Iox 11.69 0.50 m-s 8.02 0.15 vw-w 6.94 0.13 vw 6.34 0.20 vw-w 5.40 0.12 vw-w 5.11 0.10 vw 4.85 0.10 vw-w 4.31 0.12 vs 3.92 0.15 vw-m 3.79 0.08 vw-w 3.69 0.08 vw-m 3.37 0.08 vw 3.26 0.10 vw-w 3.16 0.06 vw-w 2.850 0.06 vw-w 2.806 0.05 vw-w 2.680 0.05 vw-w 2.617 0.05 vw 2.491 0.08 vw-w 2.380 0.06 wv 2.318 0.06 vw 2.276 0.08 vw 2.042 0.05 wv 1.913 0.06 vw 1.895 0.06 vw 此方法包括(i)制备可形成该物质之混合物,该混合 物包括钾源(M),三价元素(X)之氧化物,四价元素(Y) 之氧化物,水及包括选自15-冠-5,18-冠-6及其混合物 之冠状醚之引导剂(R),且以莫耳比之组成系在下列 范围中: YO2/X2O3 15至200 H2O/YO2 5至200 OH-/YO2 0至3.0 M/YO2 0至3.0 R/YO2 0.02至1.0 (ii)使该混合物维持在80℃至250℃之温度下,直到形 成该物质之结晶为止;及(iii)自步骤(ii)回收该结晶 物质。7.一种用于使包括有机化合物之原料转化 成转化产物之方法,其包括使该原料与包含根据申 请专利范围第1项之结晶物质或根据申请专利范围 第4或5项之组合物之活化形式之触媒接触。8.一种 用于在针对包括根据申请专利范围第1至3项中任 一项之结晶物质之吸收剂具有不同吸附特性之气 或液相中使至少一种成份与诸成份之混合物分离 之方法,该方法包括使含该诸成份之混合物与该吸 收剂接触,以自混合物选择性的吸收,且使混合物 之至少一种成份吸收于该吸收剂上,因此使至少一 种吸收成份与混合物之其余至少一种未吸收之成 份选择性的分离。图式简单说明: 第一图实例3之锻烧产物产生之X-射线绕射图形示 于第一图中。 |
