高密度动态随机存取存储器的电容器结构的制造方法

摘要

一种高密度DRAM电容器结构的制造方法,在一半导体基底上形成一深口袋(pocket)COB结构,以增加电容器表面积,达到电容量增加的目的。而且为避免HSG残留在存储节点接触孔洞外,无法获得最小化节点间距,本发明将提出在存储节点结构与位线结构间形成绝缘间隙壁,有助于改善绝缘的问题与生产的结果。

主权项

1．一种高密度DRAM电容器结构的制造方法，其在一半导体基底上形成底层的一转移栅极晶体管、多晶硅位线结构及一位于该多晶硅位线结构上的堆叠式电容结构，该方法包括以下步骤：形成以一氮化硅层包覆的该晶体管栅极结构；在该转移栅极晶体管上沉积一第一绝缘层；形成该多晶硅位线结构，覆于该第一绝缘层上，及以在该第一绝缘层中形成一接触窗孔洞与该第一源/漏极区接触；在该多晶硅位线结构上沉积一第一层间氮化硅层，以及该第一绝缘层的上表面；在该第一层间氮化硅层上沉积一系列薄膜层，包括一第二绝缘层、一第二层间氮化硅层、一第三绝缘层以及一第二多晶硅层；在该系列薄膜层中，界于该多晶硅位线结构间形成一第一存储节点开口：在该第一存储节点开口中，该第三绝缘层与该第二绝缘层的曝露侧边形成凹穴；沉积一第四绝缘层；以该第一存储节点开口为一掩模形成一存储节点接触窗孔洞，其经由该第四绝缘层、该第一层间氮化硅层与该第一绝缘层的移除，使一第二源/漏极区曝露出来，以及藉由该第四绝缘层在该第二绝缘层与该多晶硅位线结构的曝露侧边，形成绝缘间隙壁；沉积一第三多晶硅层，以一致地涂覆在该存储节点接触窗孔洞；在该第三多晶硅层上沉积一半球型晶粒硅层；从该第三绝缘层上表面去除该半球型晶粒硅层、该第三多晶硅层及该第二多晶硅层；从该第二层间氮化硅层上表面移除该第三绝缘层，以形成一存储节点结构，包括上层的该半球型晶粒硅层与下层的该第三多晶硅层，在该存储节点接触窗孔洞中形成包括该半球型晶粒硅层与该第三多晶硅层，从该第二层间氮化硅层表面向外扩伸的突出形状；在该存储节点结构上形成一电容器介电层；以及形成一上电极，以完成置于该多晶硅位线结构上方的该堆叠电容结构。