发明名称 ION IMPLANTATION SIMULATION METHOD
摘要
申请公布号 JPH11307469(A) 申请公布日期 1999.11.05
申请号 JP19980110283 申请日期 1998.04.21
申请人 SONY CORP 发明人 KOBAYASHI TAKESHI
分类号 H01L21/66;H01L21/00;H01L21/265;(IPC1-7):H01L21/265 主分类号 H01L21/66
代理机构 代理人
主权项
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