| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 在半导体衬底(1)的主表面上形成具有接触孔(15a～17a)的层间绝缘膜(12)。在层间绝缘膜(12)上形成金属硅化物膜(13)。形成多晶硅膜(18),使其从接触孔(15a～17a)内延伸到金属硅化物膜(13)上。利用该多晶硅膜(18)和金属硅化物膜(13)形成局部布线(19a)。 | ||
| 申请公布号 | CN1229280A | 申请公布日期 | 1999.09.22 |
| 申请号 | CN98119662.4 | 申请日期 | 1998.09.21 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 石田雅宏 |
| 分类号 | H01L27/11;H01L21/8244 | 主分类号 | H01L27/11 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 杨凯;王忠忠 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，其特征在于，包括：第1导电型的第1杂质区(11a3)，在半导体衬底(1)的表面上形成；第2导电型的第2杂质区(10a2)，与所述第1杂质区隔开一定间隔、在所述表面上形成；绝缘层(12)，在所述表面上形成，具有到达所述第1和第2杂质区的第1和第2接触孔(15a、17a)；非金属性导电膜(18)，通过所述第1和第2接触孔与所述第1和第2杂质区进行导电性连接，覆盖所述第1和第2接触孔内底部和侧部，分别与所述第1和第2杂质区相接；以及布线层，包括金属性导电膜(13)，该导电膜(13)不与该非金属性导电膜的所述第1和第2接触孔内底部的表面相接，而与所述非金属性导电膜连接。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||