| 发明名称 | 测量埋入界面深度的非破坏性方法和设备 | ||
| 摘要 | 用DTIR法非破坏性地测定确定埋入界面的上表面位置的深度。 | ||
| 申请公布号 | CN1224835A | 申请公布日期 | 1999.08.04 |
| 申请号 | CN99100915.0 | 申请日期 | 1999.01.06 |
| 申请人 | 国际商业机器公司;西门子公司 | 发明人 | K·保尔·穆勒;文卡拉塔查拉姆·C·加伊普拉卡什 |
| 分类号 | G01N21/00 | 主分类号 | G01N21/00 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 杜日新 |
| 主权项 | 1．一种用于测量在半导体衬底表面下面的埋入界面顶部的深度的非破坏性方法，包括用红外光照射含有待测量的埋入界面的半导体衬底；用傅里叶分析法探测和分析返回信号的光谱成分；以及把上述的返回信号的光谱成分与标准光谱比较从而测定上述的埋入界面的深度。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||