| 主权项 |
线之发光萤幕,及具有与该萤幕之有效呈相区相邻 且界定 许多实质上与该萤光体线平行之凹槽之许多空隙 分隔第一 金属线股单轴张力聚焦栅孔板,各个越过该有效呈 相区之 该第一金属线股在其面萤幕连上具有实质上连续 之绝缘物 ,该绝缘物包含一层以上之绝缘物层,且许多第二 金属线 股实质上与该第二金属线股垂直定向,该第二金属 线股与 该绝缘物结合,此改善中之该绝缘物包括:一热膨 胀系数 实质上与第一金属线股之热膨胀系数相符或稍低 之第一绝 缘物层;及一热膨胀系数实质上等于该第一绝缘物 层之热 膨胀系数之第二绝缘物层,该第二绝缘物层系形成 于该第 一绝缘物层之上,该第二金属线股系结合于该第二 绝缘物 层中。2.一种包括抽真空外壳之彩色阴极射线管, 其中具有电子 枪以产生至少一电子束,具有在其内部表面上具萤 光体直 线之发光萤幕,及接近该萤幕之单轴张力聚焦栅孔 板,该 张力聚焦栅孔板具有二条延伸于其间之许多横向 空隙分离 第一金属线股之长边,相邻第一金属线股间之空隙 界定与 该萤幕之该萤光体线平行之实质上相等间隙之凹 槽,该栅 孔板之该长边固定于具二长边及二短边之实质上 正方形架 构上,各个越过该有效呈相区之该第一金属线股在 其面萤 幕边上具有实质上连续之绝缘物,一第二绝缘物层 系形成 于该第一绝缘物层之上,且许多第二金属线股实质 上与该 第二金属线股垂直定向,该第二金属线股结合于该 第二绝 缘物中,其中之改善包括:热膨胀系数实质上与第 二金属 线股之热膨胀系数相符或稍低之第一绝缘物层;及 热膨胀 系数实质上等于该第一绝缘物层之热膨胀系数之 第二绝缘 物层。3.根据申请专利范围第2项之阴极射线管,其 中该第一金 属线股之热膨胀系数在15-16010-7/℃之范围间。4. 根据申请专利范围第2项之阴极射线管,其中该第 一绝 缘物层之热膨胀系数在0-14010-7/℃之范围间。5.根 据申请专利范围第2项之阴极射线管,其中包括低 碳 钢之第一金属线股之热膨胀系数在120-16010-7/℃之 范围中。6.根据申请专利范围第5项之阴极射线管, 其中包括不透 明接合玻璃基质之第一绝缘物属之热膨胀系数在 75-120 10-7/℃之间,该基质系选自包含PbO-ZnO-B2O3及 Pbo- ZnO-B2O3-SiO2。7.根据申请专利范围第6项之阴极射线 管,其中该第一绝 缘物层包括包含该不透明接合玻璃基质及选自包 含白砂石 ,氟石及石英之复合物材料,其中该白矽石包括不 超过 10wt%之该氟石之至少之一,且包括40wt%之石英,且该 不 透明接合玻璃之基质包括其余之该复合物材料。8 .根据申请专利范围第2项之阴极射线管,其中该第 一金 属线股包括热膨胀系数在15-3010-7/℃之范围中之 低 膨胀铁-镍合金。9.根据申请专利范围第8项之阴极 射线管,其中该第一绝 缘物层包括包含热膨胀系数为75-12010-7/℃之范围 中 之不透明接合玻璃基质(该基质选自包含PbO-ZnO-B2O3 及 Pbo-ZnO-B2O3-SiO2)及至少二填料使热膨胀系数降至10- 2510-7/℃之范围间之复合材料,该填料之一具有低 的 热膨胀系数,且其他具有高的热膨胀系数,在该铁- 镍合 金由于磁性转移经历偏斜之温度下发生偏斜。10. 根据申请专利范围第9项之阴极射线管,其中具有 该低 热膨胀系数之该填料系选自包含Li2Al2SiO6,AlTiO5,玻 璃质SiO2及Li2Al2Si4O12,且具高热膨胀系数之该填料 包 括白矽石。11.根据申请专利范围第10项之阴极射 线管,其中具有该 低热膨胀系数之该填料包括达40wt%之该组合物材 料,包 括达5wt%之白砂石,且不透明接合玻璃之该基质包 括其余 者。12.根据申请专利范围第2项之阴极射线管,其 中该第一金 属线股包括热膨胀系数为40-6010-7/℃之范围间之 中 度膨胀合金。13.根据申请专利范围第12项之阴极 射线管,其中该第一 绝缘物层包括包含热膨胀系数为75-12010-7/℃之不 透 明玻璃基质(该基质选自包含PbO-ZnO-B2O3及Pbo-ZnO- B2O3-SiO2)及至少一种填料使热膨胀系数降至40-6010- 7/℃之范围中之复合物材料,该填料具有低或中度 的热 膨胀系数。14.根据申请专利范围第13项之阴极射 线管,其中该填料 系选自包含Li2Al2SiO6,AlTiO5,玻璃质SiO2及 Li2Al2Si4O12之低膨胀填料,及选自包含Zn2SiC4, Mg2Al4Si5O18,BaAl2Si2O8,ZnAl2O4,BN,Al6Si2O13, CaAl2Si2O8,MgSiO3,MgTiO3,Al2O3,Mg2SiO4及CaSiO3 之中膨胀填料,该填料包括达该绝缘物层之该复合 物材料 之40%。15.根据申请专利范围第2项之阴极射线管, 其中该第二种 绝缘物层包括基本上含PbO-ZnO-B2O3-SnO2及视情况之 CoO 之玻璃质接合玻璃。16.根据申请专利范围第9项之 阴极射线管,其中该第二绝 缘物层包括具有包括80wt%PbO,5wt%ZnO,14wt%B2O3,0. 75wt%SnO2及视情况之0.25wt%CoO之组合物,且热膨胀系 数约11010-7/℃之玻璃质接合玻璃,及至少二种填料 使热膨胀系数降低至10-2510-7/℃之间,该填料之一 具有低的热膨胀系数,且其他具有高的热膨胀系数 ,于该 铁镍-合金由于磁性传送历经偏斜之温度下发生偏 斜。17.根据申请专利范围第16项之阴极射线管,其 中具有该 低热膨胀系数之该填料系选自包含Li2Al2SiO6,AlTiO5, 玻璃质SiO2及Li2Al2Si4O12,且具高热膨胀系数之该填 料 包括白矽石。18.根据申请专利范围第17项之阴极 射线管,其中具有该 低热膨胀系数之该填料包括达40wt%之该组合物材 料,包 括达5wt%之白矽石,且不透明接合玻璃之该基质包 括其余 者。19.根据申请专利范围第13项之阴极射线管,其 中该第二 绝缘物层包括具有包括80wt%PbO,5wt%ZnO,14wt%B2O3, 0.75wt%SnO2及视情况之0.25wt%CoO之组合物,且热膨胀 系数约11010-7/℃之玻璃质接合玻璃,及至少一种填 料使热膨胀系数降低至40-6010-7/℃之间,该填料具 有中度热膨胀系数。20.根据申请专利范围第19项 之阴极射线管,其中该填料 系选自包含Li2Al2SiO6,AlTiO5,玻璃质SiO2及 Li2Al2Si4O12之低膨胀填料,及选自包含Zn2SiC4, Mg2Al4Si5O18,BaAl2Si2O8,ZnAl2O4,BN,Al6Si2O13, CaAl2Si2O8,MgSiO3,MgTiO3,Al2O3,Mg2SiO4及CaSiO3 之中膨胀填料,该填料包括达该绝缘物层之该复合 物材料 之40%。图式简单说明:第一图为本发明包含之有色 CRT依 轴向段部份之平面图;第二图为第一图之CRT中使用 之单 轴张力聚焦栅孔板构造组件之平面图;第三图系沿 着第二 图之直线3-3之栅孔板构造组件之前视图;第四图系 第二 图之圆圈4之中所示之单轴张力聚焦栅孔板之放大 段;第 五图为沿着第四图之直线5-5之单轴张力聚焦栅孔 板及发 光萤幕之段;第六图系第五图之圆圈6中一部份单 轴张力 聚焦栅孔板之放大图;且第七图系第五图之圆圈7 中一单 轴张力聚焦栅孔板另一部份之放大图。 |
