| 主权项 |
1.一种测试连接之方法,系包括一积体电路中之一导体,该导体系连接至该积体电路之一外部接线端,该方法系包括步骤:- 加施激励至该外部接线端;- 侦测该积体电路内该导体之反应;- 表徵该导体根据反应之功能;其特征系在于该侦测包括测量通过该导体之电流动态,该侦测系藉由在该积体电路中邻近该导体配置之感应器行之。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该电流动态测量系包括测量该积体电路中邻近该导体配置之一线圈中之一感应电压。3.如申请专利范围第1或第2项之方法,其中该测量结果系转换成一数位信号。4.如申请专利范围第3项之方法,其中该数位信号系储存在依边界扫描测试(BST)方法之边界扫描测试元件中并经由边界扫描测试链输出,以供检查。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该积体电路经由一供应连接接收一供应电压,该导体系为传导一供应电流而连接至该供应连接。6.如申请专利范围第5项之方法,其中该激励加施系包括致使通过该导体之电流变化之该供应电压暂时降压。7.如申请专利范围第5项之方法,其中该积体电路系包括一处或多处输入端以接收样本,该激励加施系包括呈现至少两预定样本至该输入端,以导致通过该导体之供应电流起变化。8.如申请专利范围第1项之方法,其中该激励加施系包括呈现一预定频率之测试信号至该外部接线端。9.一种积体电路,系包括一导体以传导一电流及一侦测装置以表徵一电流系通过该导体:其特征系在于:该侦测装置系包括一感应器配置于邻近该导体,以侦测该电流之变化。10.如申请专利范围第9项之积体电路,其中该感应器系包括一线圈。11.如申请专利范围第10项之积体电路,其中该线圈系包括两串联之次线圈配置在该导体之两侧及具有彼此相反之绕组。12.如申请专利范围第10或第11项之积体电路,其中该线圈系包括至少两层之绕组。13.如申请专利范围第10项之积体电路,其中该导体系呈弯形,该线圈系配置在弯形所围成之区域中。14.如申请专利范围第9项之积体电路,其中该侦测装置系包括一峰値检波器连接至该感应器以转换该感应器中待测量之一电压为一数位信号。15.如申请专利范围第14项之积体电路,其包括一边界扫描测试元件以储存该数位信号。图示简单说明:第一图系说明根据本发明积体电路之一部份;第二图系说明根据本发明积体电路中之线圈的另一实例:第三图系说明根据本发明积体电路中之线圈的另一实例:及第四图系以图解说明处理感应电压之方法。 |
