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<p>Zur Erhöhung der Speicherdichte wird in einer Speicherzellenanordnung mit MOS-Transistoren als Speicherzellen, die als Gatedielektrikum eine dielektrische Dreifachschicht mit einer ersten Siliziumoxidschicht, einer Siliziumnitridschicht und einer zweiten Siliziumoxidschicht umfassen, wobei die Siliziumoxidschichten jeweils mindestens 3 nm dick sind, die Information im Sinne einer Mehrwertlogik mit bis zu 26 Werten gespeichert. Dabei wird ausgenutzt, daß diese Speicherzellen eine Zeit für den Datenerhalt > 1000 Jahre und eine sehr geringe Drift der Einsatzspannung aufweisen.</p> |
