CIRCUIT FOR THE BUFFER STORAGE OF A BIT, AND USE OF THE CIRCUIT AS AN ADDRESS BUFFER STORE.

摘要

L'invention concerne une mémoire. Il est prévu un premier transistor MOS (T1) qui commute en présence d'un premier signal de commande (S1) un signal d'entrée correspondant au bit sur l'entrée de la mémoire. La mémoire est équipée de dispositifs grâce auxquels un signal de sortie à la sortie de la mémoire est amené à un potentiel déterminé en fonction du niveau du signal d'entrée. Le circuit convient en particulier pour la réalisation d'une mémoire intermédiaire d'adresses (bascule d'adresses) pour des mémoires RAM dynamiques, en particulier des mémoires RAM dynamiques de la génération 16 M.