| 摘要 |
<p>Beschrieben wird ein positionsempfindlicher Halbleiterdetektor mit einem vollständig verarmten Grundgebiet einer ersten Leitfähigkeit und Isolationsschichten auf beiden Hauptoberflächen sowie leitenden Elektroden auf diesen Isolationsschichten (MIS-Struktur). Der erfindungsgemäße Detektor zeichnet sich durch folgende Merkmale aus : a) die zur Verarmung des Grundgebietes der ersten Leitfähigkeit erforderlichen Gebiete der ersten und zweiten Leitfähigkeit auf beiden Hauptoberflächen werden durch die Ausbildung von Inversions- und Akkumulationsschichten im Oberflächenbereich unter den MIS Kontakten erzeugt, an denen gleichzeitig die influenzierte Signalladung abgegriffen wird; b) die zur Verarmung des Grundgebietes der ersten Leitfähigkeit erforderlichen Gebiete der ersten und zweiten Leitfähigkeit sind vollkommen von Gebieten entgegengesetzter Leitfähigkeit umschlossen, die durch Akkumulation und Inversion von Ladungsträgern gebildet werden und deren Leitfähigkeit über MIS Kontakte gesteuert wird; c) die externe Spannungszuführung zu den Gebieten der ersten und zweiten Leitfähigkeit erfolgt von Gebieten der ersten und zweiten Leitfähigkeit aus, die sich vorzugsweise beide im Bereich einer der beiden Hauptoberflächen befinden. Ferner ist die Herstellung der Detektorstruktur in drei Maskenschritten realisierbar.</p> |
