| 发明名称 |
METHOD OF DEPOSITING TUNGSTEN ON SILICON IN A NON-SELF-LIMITING CVD PROCESS AND SEMI-CONDUCTOR DEVICE MANUFACTURED THEREBY |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0328970(A3) |
申请公布日期 |
1991.02.27 |
| 申请号 |
EP19890101923 |
申请日期 |
1989.02.03 |
| 申请人 |
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION |
发明人 |
JOSHI, RAJIV V. |
| 分类号 |
C23C16/04;C23C16/14;H01L21/28;H01L21/285;H01L21/336;H01L21/768;H01L29/43;H01L29/78;(IPC1-7):C23C16/04;H01L29/76 |
主分类号 |
C23C16/04 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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