Potential generator in an integrated semiconductor circuit.

摘要

Der Potentialgenerator in einer integrierten Halbleiterschaltung enthält eine Generatorschaltung VGen zur Erzeugung zweier Referenzpotentiale V+,V- mit unterschiedlich hohen Werten. Der Generatorschaltung VGen ist eine Regleranordnung Reg nachgeschaltet. Dieser wiederum ist eine Treiberschaltung DVR nachgeschaltet, an deren Ausgang im Betrieb ein geregeltes Ausgangspotential VReg entsteht als Ausgangspotential des Potentialgenerators. Der Wert des Ausgangspotentials VReg liegt im geregelten Zustand zwischen den Werten der Referenzpotentiale V+,V-.