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Un transistor à effet de champ (TEC) fonctionne dans le mode d'enrichissement sans nécessiter d'inversion par réglage de la tension de seuil du dispositif à deux fois le potentiel de Fermi de la matière semi-conductrice. Le TEC, appelé TEC à seuil de Fermi ou TEC-Fermi, a une tension de seuil indépendante de l'épaisseur de l'oxyde, de la longueur de canal, de la tension de drain et du dopage du substrat. Le champ électrique vertical devient égal à zéro, maximisant ainsi la mobilité du support, et réduisant au minimum les effets des électrons à chaud. Ainsi on produit un dispositif à vitesse rapide sensiblement indépendant des dimensions du dispositif, pouvant être fabriqué selon des règles de base souples, permettant d'obtenir des dispositif de haut rendement à faible coût. On peut aussi éliminer la dépendance de la tension de seuil face à la température, en prévoyant un contact semi-conducteur à neutralisant l'effet de potentiel de contact du substrat. On peut prévoir des régions de subdiffusion de source et de drain afin de simultanément maximiser les tensions d'ionisation de depercage et d'impact des dispositifs, de sorte que des dispositifs à canaux courts ne nécessitent pas de tensions d'alimentation réduites. On peut prévoir des dispositifs à grilles multiples. Une grille d'accéleration, proche du drain, peut améliorer davantage le rendement. On peut maintenir les critères de TEC-Fermi tout en ayant un canal profond, en prévoyant un contact de substrat pour le TEC-Fermi et en appliquant une polarisation de substrat audit contact. On peut prévoir des régions de poche d'enrichissement du substrat à proximité de la source ainsi que des régions de drain, afin de produire une région d'appauvrissement continue sous les régions de source, de drain et des canaux et réduire ainsi au minimum les effets de percage. |
