GATE ALIGNMENT PROCEDURE IN FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES.

摘要

Une porte métallique auto-alignée est formée sur la surface d'un substrat d'un semiconducteur entre une région de source et une région de drain dudit substrat. Un alignement précis des frontières de la porte avec les frontières des régions de source et de drain est obtenu en ombrageant le revêtement d'une photoréserve sur du métal déposé sur la surface du substrat, tout en dissociant photochimiquement la photoréserve sur le métal déposé sur une couche d'oxyde formée sur les régions de source et de drain du substrat. La photoréserve développée est enlevée, et la photoréserve non-développée est durcie par cuisson afin de servir de revêtement protecteur pour le métal placé entre les régions de source et de drain. Le métal placé sur les régions de source et de drain est enlevé par attaque chimique, laissant ainsi le métal entre les régions de source et de drain fonctionner comme porte électronique.