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发明名称 PROCESS FOR PRODUCING HIGHLY INTEGRATED COMPLEMENTARY MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR CIRCUITS
摘要
申请公布号 EP0123182(B1) 申请公布日期 1987.08.19
申请号 EP19840103822 申请日期 1984.04.06
申请人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT BERLIN UND MUNCHEN 发明人 JACOBS, ERWIN, DR. RER.NAT.;SCHWABE, ULRICH, DR. PHIL.
分类号 H01L27/092;H01L21/265;H01L21/8234;H01L21/8238;H01L27/08;H01L27/088;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/82 主分类号 H01L27/092
代理机构 代理人
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