发明名称 Semiconductor device
摘要 A semiconductor device is disclosed which has a mesa structure. A negative chamfer (8) is formed only in that part of the barrier layer or depletion zone which forms on the upper side of a p-n junction (10). <IMAGE>
申请公布号 DE3632489(A1) 申请公布日期 1987.04.16
申请号 DE19863632489 申请日期 1986.09.24
申请人 MITSUBISHI DENKI K.K. 发明人 YOSHIDA,SHIGEKAZU
分类号 H01L29/74;H01L29/06;(IPC1-7):H01L29/06 主分类号 H01L29/74
代理机构 代理人
主权项
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