摘要 |
DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR PARA APLICACIONES ELECTRONICAS. COMPRENDE UN SUSTRATO (11) CONDUCTOR DE LA ELECTRICIDAD CON UNA SUPERFICIE DE DEPOSICION QUE INCLUYE, CUANDO MENOS, UN DEFECTO CAPAZ DE DEPARAR UN TRAYECTO DE CORRIENTE DE BAJA RESISTENCIA, A TRAVES DE UN MATERIAL SEMICONDUCTOR SUBSECUENTEMENTE DEPOSITADO, O UN CENTRO DE NUCLEACION QUE ACTIVE LA DEPOSICION DE UN MATERIAL SEMICONDUCTOR NO HOMOGENEO; Y UN CUERPO DE PELICULA DELGADA HECHO DE UN MATERIAL SEMICONDUCTOR DEPOSITADO SOBRE DICHO SUSTRATO. ENTRE EL CUERPO Y LA SUPERFICIE DE DEPOSICION SE INTERPONE UNA CAPA NIVELADORA GALVANOPLASTIADA, CONDUCTORA DE LA ELECTRICIDAD, LA CUAL SE HACE PRINCIPALMENTE CON UN MATERIAL SELECCIONADO ENTRE NIQUEL, PLATA, INDIO, ESTAÑO, CADMIO, ZINC, Y MEZCLAS DE LOS MISMOS. |