| 发明名称 |
Semiconductor electron emitting device whose active layer has a doping gradient. |
| 摘要 |
<p>L'invention concerne un dispositif semiconducteur capable d'émettre des électrons dans le vide par une de ses surfaces, remarquable en ce qu'il comporte une couche semiconductrice dite active (3), affleurant la surface émettrice dont le dopage croît lorsque la distance à ladite surface émettrice diminue. Application: photocathodes, dynodes.</p> |
| 申请公布号 |
EP0066926(A1) |
申请公布日期 |
1982.12.15 |
| 申请号 |
EP19820200648 |
申请日期 |
1982.05.27 |
| 申请人 |
N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN;LABORATOIRES D'ELECTRONIQUE ET DE PHYSIQUE APPLIQUEE L.E.P. |
发明人 |
GUITTARD, PIERRE;JARRY, PHILIPPE;DUCARRE, ALPHONSE;HAJI, LAZHAR |
| 分类号 |
H01J1/34;H01J1/30;H01J1/308;H01J1/32;(IPC1-7):01J1/34 |
主分类号 |
H01J1/34 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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