METHOD FOR FORMING VOLTAGE-INVARIANT CAPACITORS FOR MOS TYPE INTEGRATED CIRCUIT DEVICE.

摘要

Pour un dispositif semi-conducteur a circuit integre (10) ayant une pluralite d'elements MOSFET, des condensateurs d'invariant-tension (14-16-18), ayant chacun un metal (38) comme premiere plaque et soit du polysilicium (22) soit une diffusion de drainage de source comme seconde plaque sont crees en reformant une fine couche d'oxyde (34) pour produire le dielectrique du condensateur pendant la sequence normale de traitement MOSFET.