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<p>Perfeccionamientos en memorias integradas solamente de lectura especialmente para circuitos integrados semiconductores para almacenar información, cuyas memorias solamente de lectura tienen una formación de matriz de conductores de palabras y bitios aislados en sus intersecciones, estando definida la información almacenada por un modelo de elementos en intersecciones elegidas, para cambiar el voltaje en el conductor de bitios en respuesta a una señal en el conductor de palabras correspondiente, siendo el modelo el necesario para que exista por lo menos un lugar de conductor de palabras en el cual haya de haber una secuencia de intersecciones sucesivas en las que no existen elementos de cambio de voltaje, extendiéndose la secuencia de intersecciones desde un extremo terminal del lugar del conductor de palabras en la formación de matriz hasta uno de dichos elementos, caracterizados porque el conductor de palabras en el lugar del conductor de palabras mencionado termina físicamente en dicho elemento inmediatamente antes de la secuencia de intersecciones exponiendo por lo tanto los lugares de los conductores de palabras entre la terminación física del conductor de palabras y el extremo terminal del lugar del conductor de palabras en el borde de la formación de matriz y obteniéndose espacio disponible en el circuito integrado semiconductor.</p> |
