| 发明名称 |
PROCEDE DE DIFFUSION DE PHOSPHORE POUR DES SUBSTRATS SEMI-CONDUCTEURS ET PRODUITS AINSI OBTENUS |
| 摘要 |
<P>PROCEDE DE DIFFUSION DE PHOSPHORE POUR DES SUBSTRATS SEMI-CONDUCTEURS ET PRODUITS AINSI OBTENUS.</P><P>POUR FAIRE UNE DIFFUSION SELECTIVE DE PHOSPHORE DANS UN SUBSTRAT DE SILICIUM ON PROCEDE AUX ETAPES SUIVANTES: A.FORMATION D'UNE COUCHE DE MASQUAGE EN SIO D'AU MOINS 500A D'EPAISSEUR, SUR LE SUBSTRAT, SELON UNE CONFIGURATION DESIREE; B.TREMPE DU SUBSTRAT DANS UNE SOURCE DE PHOSPHORE CONSTITUEE D'ACIDE ORTHOPHOSPHORIQUE A 85 PORTEE A UNE TEMPERATURE COMPRISE ENTRE 150 ET 230C PENDANT UN TEMPS COMPRIS ENTRE 12 ET 30 SECONDES; C.RINCAGE DANS DE L'EAU DEIONISEE; D.RECOUVREMENT DU SUBSTRAT PAR UNE COUCHE DE SIO DEPOSEE PAR PULVERISATION CATHODIQUE, ET E.INTRODUCTION DU SUBSTRAT DANS UN FOUR DE DIFFUSION A UNE TEMPERATURE COMPRISE ENTRE 900 ET 1100C ET PENDANT UN TEMPS COMPRIS ENTRE 5 ET 120MINUTES.</P><P>APPLICATION A LA FORMATION DE COUCHES MINCES DOPEES DE TYPE N ET DE FORTE RESISTIVITE DANS LES STRUCTURES INTEGREES A SEMI-CONDUCTEURS.</P>
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| 申请公布号 |
FR2411028(A1) |
申请公布日期 |
1979.07.06 |
| 申请号 |
FR19780032170 |
申请日期 |
1978.11.06 |
| 申请人 |
IBM |
发明人 |
MARIAN BRISKA, WOLFGANG W. HOFFMEISTER, KLAUS P. THIEL;HOFFMEISTER WOLFGANG W;THIEL KLAUS P |
| 分类号 |
C30B31/02;H01L21/22;H01L21/225;(IPC1-7):B01J17/36 |
主分类号 |
C30B31/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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