| 摘要 |
<P>La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un circuit intégré comprenant plusieurs MOSFET. Ce procédé comprend les étapes suivantes : préparer un corps de matériau semi-conducteur 12 avec plusieurs sites 1, 2, 3, 4 de transistors; masquer sélectivement les second et quatrième groupes de sites; exposer le matériau semi-conducteur à une source d'ions; masquer sélectivement les premier et quatrième groupes de sites; exposer le matériau semi-conducteur à une source d'ions; et former un MOSFET dans chaque site, d'où il résulte que quatre types différents de MOSFET sont formés, correspondant chacun à des tensions de seuil différentes. </P><P>Application aux circuits intégrés.</P>
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