| 主权项 |
1.一种电子构装,该电子构装包含:一电子组件,该电子组件具有一在电气上安装到一基材之第一表面、及一第二拱形表面,该第二拱形表面具有一轮廓,使该第一表面与该第二拱形表面之间在大致接近该电子组件中心处的距离为最大。2.如申请专利范围第1项之电子构装,其中系将一元件安装到该电子组件之该第二拱形表面。3.如申请专利范围第2项之电子构装,其中系以一黏着剂将该元件安装到该电子组件的该第二拱形表面。4.如申请专利范围第3项之电手构装,其中该黏着剂是一热熔接性材料。5.如申请专利范围第2项之电子构装,其中被安装到该电子组件的该第二拱形表面的该元件是一盖板。6.如申请专利范围第2项之电子构装,其中被安装到该电子组件的该第二拱形表面的该元件是一散热片。7.如申请专利范围第1项之电子构装,其中系利用一具有一轮廓凹面的制作轮廓工具,而产生该电子组件的该第二拱形表面之轮廓。8.如申请专利范围第1项之电子构装,其中该电子组件的该第二拱形表面具有一圆顶形。9.如申请专利范围第1项之电子构装,其中该电子组件具有至少一个有轮廓的边缘。10.一种形成一电子构装之方法,该方法包含下列步骤:提供一具有一第一电路表面及一第二表面之电子组件;以及去除一部分的该第二表面,使该第二表面大致为拱形,且于大致接近该电子组件的中心处具有最大的厚度。11.如申请专利范围第10项之方法,进一步包含下列步骤:将该电子组件的该第一电路表面在电气上安装到一基材;以及将一元件安装到该电子组件之该第二表面。12.如申请专利范围第10项之方法,进一步包含下列步骤:自一部分的该电子组件取除至少一个边缘。13.如申请专利范围第11项之方法,其中该基材是一载体。14.如申请专利范围第11项之方法,其中该元件是一盖板。15.如申请专利范围第11项之方法,其中该元件是一散热片。16.如申请专利范围第11项之方法,其中系利用一黏着剂将该元件安装到该电子组件的该第二表面。17.如申请专利范围第16项之电子构装,其中该黏着剂是一热熔接性材料。18.如申请专利范围第10项之方法,其中系利用一制作轮廓工具执行去除一部分的该第二表面之步骤。19.如申请专利范围第18项之方法,其中该制作轮廓工具具有一轮廓凹面。20.如申请专利范围第10项之方法,其中该电子组件可包含一个别晶片、复数个晶片、或一晶圆。21.一种形成一晶片之方法,该方法包含下列步骤:提供一具有一第一电路表面及一第二平面表面之电子组件;去除该第二平面表面的一第一部分,而形成一第一拱形表面;以及去除该第二平面表面的一第二部分,而形成一第二拱形表面。22.如申请专利范围第21之方法,进一步包含下列步骤:制作该电子组件的至少一个边缘之轮廓。23.一种半导体晶片,包含:一电子组件,该电子组件具有一大致平面的第一表面及一相对的一非平面第二表面。24.如申请专利范围第23项之半导体晶片,其中该大致平面的第一表面系在电气上安装到一基材,且该拱形的第二表面系安装到一元件。25.如申请专利范围第24项之半导体晶片,其中系用一具有热熔接性的黏着剂将该拱形的第二表面安装到该元件。26.如申请专利范围第24项之半导体晶片,其中该元件是一盖板。27.如申请专利范围第24项之半导体晶片,其中该元件是一散热片。28.如申请专利范围第23项之半导体晶片,其中该该大致平面的第一表面与该拱形的第二表面之间在大致接近该晶片中心处的距离为最大。29.如申请专利范围第23项之半导体晶片,其中该半导体晶片具有至少一个有轮廓的边缘。30.一种形成一电子构装之方法,该方法包含下列步骤:提供一电子组件;以及制作该组件的至少一个边缘之轮廓。31.一种电子构装,包含:一具有一开口的基材;以及一电子组件,该电子组件安装于该基材的开口中;其中该电子组件具有至少一个大致平面的表面及至少一个有轮廓之边缘。32.一种电子构装,包含:一具有一开口的基材;以及至少一个电子组件,该电子组件安装于该基材的开口中;该电子组件具有至少一个非平面的表面。33.如申请专利范围第32项之电子构装,其中系制作该组件的至少一个平面之轮廓,而形成该非平面表面。34.如申请专利范围第32项之电子构装,其中系制作该组件的至少一个边缘之轮廓,而形成该非平面表面。图式简单说明:图1是一相关技术的半导体晶片构装之横断面图;图2是根据本发明一较佳实施例的一半导体晶片构装之横断面图;图3示出根据本发明一第一实施例的一半导体晶圆;图4示出根据本发明该第一实施例的一晶片及一制作轮廓工具;图5示出根据本发明一较佳实施例的一有轮廓之晶片;图6示出根据本发明一第二实施例的一半导体晶圆及一制作轮廓工具;图7示出根据本发明该第二实施例的有轮廓之半导体晶圆;图8示出根据本发明一第三实施例的一晶片;以及图9示出根据本发明该第三实施例的一修改后之晶片。 |
