低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法

摘要

本发明提供一种低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法，通过将与栅极接触的氮化硅层氧化成氮氧化硅层，采用氮氧化硅与栅极接触，该氮氧化硅层相比于氮化硅层，不仅可以抵挡离子扩散，还具有高电性稳定度，能够有效抑制栅极绝缘层的载流子注入，提升栅极绝缘层的可靠性和低温多晶硅薄膜晶体管的稳定性，制作方法简单，不需要增加制程光罩数。

主权项

一种低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一基板(1)，在所述基板(1)上沉积一低温多晶硅层，并对所述低温多晶硅层进行离子掺杂和图案化处理，形成有源层(2)；步骤2、在所述有源层(2)、及基板(1)上沉积一氧化硅层(31)；步骤3、在所述氧化硅层(31)上沉积一氮化硅层(32)并利用含氧气体对所述氮化硅层(32)进行氧化处理，将所述全部氮化硅层(32)或者上层的部分氮化硅层(32)氧化形成一氮氧化硅层(33)，从而所述氮氧化硅层(33)与氧化硅层(31)或所述氮氧化硅层(33)、氧化硅层(31)与剩下的氮化硅层(32)共同形成栅极绝缘层(3)；步骤4、在所述有源层(2)上方的氮氧化硅层(33)上形成栅极(4)；步骤5、在所述栅极(4)、以及氮氧化硅层(33)上沉积一层间绝缘层(5)，并在所述层间绝缘层(5)上形成与所述有源层(2)的两端接触的源极(61)与漏极(62)。