锗单晶热压形变工艺

摘要

本发明公开了一种制备锗垂直聚焦中子单色器所用的锗单晶的热压形变工艺。该工艺包括锗片清洗、循环热压形变、陶瓷模具展平等步骤，其中循环热压形变步骤是指锗单晶在真空热压炉中依次完成向上弯压、展平、向下弯压、展平等工序，其中锗单晶在循环热压形变前经过了预热处理；循环热压形变过程中，热压温度为880～890℃，压力为4～6N/cm²，真空度为1～5Pa。本发明所提供的技术方案增加了锗单晶的初始位错密度，使循环热压形变后的晶体在不同位置处嵌镶分布均匀，单色束的峰反射率增强。同时本发明也采用了较低的热压形变时的真空度，简化热压形变装置的真空系统，并且由于缩短了预抽真空的时间，可以提高工效。

主权项

1.一种锗单晶热压形变工艺，包括锗片清洗、循环热压形变、陶瓷模具展平等步骤，其中循环热压形变步骤是指锗单晶在真空热压炉中依次完成向上弯压、展平、向下弯压、展平等工序，其特征在于：锗单晶在循环热压形变前经过了预热处理；循环热压形变过程中，热压温度为880～890℃，压力为4～6N/cm2，真空度为1～5Pa。