采用非晶材料作为参考与自由层的磁隧道结

摘要

一种磁隧道结，由一个MgO或Mg-ZnO隧道势垒层以及与该隧道势垒层的两侧分别紧邻的非晶磁性层构成。该非晶磁性层优选地包括Co以及至少一种添加元素，选择该添加元素例如硼以使该层非晶化。由该非晶磁性层和隧道势垒层形成的磁隧道结具有高至200％或更高的隧穿磁电阻值。

主权项

1.一种结构，包括：一个第一非晶磁性层，其包括从由铁磁材料和亚铁磁材料构成的组中选出的材料；一个第二非晶磁性层，其包括从由铁磁材料和亚铁磁材料构成的组中选出的材料；至少一个隧道势垒层，其从由MgO和Mg-ZnO构成的隧道势垒层组中选出，其中该隧道势垒层位于该第一非晶磁性层与该第二非晶磁性层之间；以及一个反铁磁层，其交换偏置该第二非晶磁性层，其中该第一非晶磁性层、第二非晶磁性层和该隧道势垒层彼此紧邻并形成磁隧道结，由此使自旋极化电流在该第一与第二非晶磁性层之间穿过该隧道势垒层而通过，该磁隧道结在室温下具有至少100％的隧道磁电阻。