一种近化学计量比铌酸锂晶体的生长方法

摘要

本发明公开了一种近化学计量比铌酸锂晶体的生长方法，其经过步骤(1)～(5)后得到近化学计量比铌酸锂晶体，且在步骤(3)中加入掺入量为0.3～2.0mol.％的Nd₂O₃或Er₂O₃，在步骤(4)中对Pt坩埚进行密封Pt坩埚，在步骤(5)中用坩埚下降法生长晶体，生长晶体的参数为：炉体温度为1250～1350℃，接种温度为1100～1200℃，温度梯度为80～120℃，下降速度为1～3mm/h，待晶体生长结束后，以20～80℃/h下降炉温至室温；这样能得到较大和质量较高的晶体，铌酸锂晶体中－OH的量也较低，测定得到本发明得到的铌酸锂晶体中的稀土金属离子Nd和Er具有较长的荧光寿命，从具体实施结果比较，本发明得到的晶体，掺杂其中的稀土金属离子Nd和Er的荧光寿命比现有生长方法得到的晶体掺杂其中的Nd和Er的荧光寿命长3倍多。

主权项

1.一种近化学计量比铌酸锂晶体的生长方法，其特征在于包括下述步骤：(1)按重量比1∶0.85～1.1∶0.2～0.3，把Li2CO3、Nb2O5、K2CO3置于碾磨器中，碾磨混合5～6h，得到粉末，粉末置于Pt坩埚中，在800～850℃温度下恒温1.5～2.5h；(2)在1000～1100℃温度下，将上述Pt坩埚煅烧1.5～2.5h，得到多晶粉料；(3)将多晶粉料置于碾磨器磨成粉末，加入掺入量为0.3～2.0mol.％的Nd2O3或Er2O3，碾磨混合10～12h，得到掺有Nd或Er离子的多晶粉末；(4)把多晶粉末压实后置于Pt坩埚中，密封Pt坩埚；(5)将密封的Pt坩埚置于硅钼棒炉中，用坩埚下降法生长晶体，生长晶体的炉体温度为1250～1350℃，接种温度为1100～1200℃，温度梯度为80～120℃，下降速度为1～3mm/h，待晶体生长结束后，以20～80℃/h下降炉温至室温，得到铌酸锂晶体。