| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，在现有的半导体装置中，由于经由接触孔将电阻体和配线层连接，故存在电阻体和衬底的寄生容量难以降低的问题。在本发明的半导体装置中，由氮化钛(TiN)膜构成的电阻体(25)在绝缘层(26)上直接与配线层(28、29)连接。根据该构造，使电阻体(25)和配线层(28、29)的接触面积增大，并使接触电阻降低。另外，通过加宽电阻体(25)和外延层(3)的离开距离(L1)，可降低电阻体(25)上的寄生容量，且提高半导体装置的高频特性。 | ||
| 申请公布号 | CN101162718A | 申请公布日期 | 2008.04.16 |
| 申请号 | CN200710162985.8 | 申请日期 | 2007.10.09 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社 | 发明人 | 佐藤喜规;大根尚树;山前武士 |
| 分类号 | H01L27/06(2006.01);H01L23/522(2006.01);H01L21/822(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L27/06(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，其特征在于，具有：半导体层、形成于所述半导体层上的绝缘层、形成于所述绝缘层上的电阻体、与所述电阻体连接的配线层，所述配线层配置于配置有所述电阻体的同一所述绝缘层上。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||