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<P>Un dispositif de commande d'un commutateur d'une entrée haute tension EHV à transistors Mos et comprenant au moins un étage cascode, comprend un circuit de génération REF d'au moins une tension de référence VREFn , VREFp à partir de l'entrée haute tension pour polariser les transistors Mos de l'étage cascode. Ce circuit de génération comprend trois transistors Mos M12, M13, M14 connectés en série entre l'entrée haute tension et la masse. Les tensions de référence VREFN , VREFp sont obtenues sur le drain et la source du transistor du milieu M13. Ce dispositif comprend en outre un circuit de commande de la grille de ce transistor M13 en fonction du niveau de l'entrée haute tension, comprenant une première résistance R1, une diode D1 et une deuxième résistance R2 connectées en série, le point de connexion entre la diode et l'une des résistances fournissant la tension de commande de grille.Application à la programmation d'éléments mémoires non volatiles.</P>
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