| 主权项 |
1.一个不脱离的光记录元件包括一光吸收层支持于一大小形状稳定之底村上其中的光吸收层是具有至少一个热导电金属之Te共熔合金之连续的,形态稳定的,非晶质层并具有40全150A的层厚。2.依申请专利范围第1项之元件其中的层于一原子基底上包括65一75%Te及35-25%热导电金属之合金。3.依申请专利范围第1项之元件其中的热导电金属是Cu。4.依申请专利范围第3项之元件其中的层是包括65-71%Te及35-29%Cu。5.依申请专利范围第4项之元件其中的层于一原子基底上包括71%Te及23%Cu之共熔合金6.依申请专利范围第1项之元件其中的光吸收层是三明冶的夹于具有低热导电性之光性透明的固体材料之两个不动的层间。7.依申请专利范围第6项之元件其中至少一个不动层是一挠性的膜形成有机固体。8.依申请专利范围第5项之元件其中的不动层是包括四氟乙烯电浆聚合产物。9.依申请专利范围第6项之元件其具有一单层光性形态。10. 依申请专利范围第9项之元件其中的光吸收层厚度是110-130A。11. 依申请专利范围第10项之元件其中的光吸收层之厚度是120A。12. 依申请专利范围第6项之元件其具有一个三层的光性形态。13. 依申请专利范围第12项之元件其中的光吸收层之厚度是60-80A。14. 依申请专利范围第33项之元件其中的光吸收层之厚度是70A15. 依申请专利范围第1项之元件其中的光吸收层是包夹于一保护涂层内。16. 依申请专利范围第15项之元件其中的包夹涂层是一透明的聚合固体。图示简单说明:图1a是一个脱离形成的雷射记号之放大拼合图而图1b是一脱离形成之雷射记号的剖视图。图2a是一不脱离形成的雷射记号之放大拼合图而图2b一不脱离形成之雷射记号的剖视图。图3是单个单层光碟之示意图。图4是两个或"三明冶"单层光谍之示意图。图5是三层光碟之示意图。图6是Te/Cu合金光性层与时间之曲线对比。图7是用以制造脱离的及不脱离雷射记号之分别电力需求作为讯号对杂记比率之函数的曲线对比。图8是用以制造脱离的及不脱离雷射记号之分别电力需求作为记号长度之函数的曲线对比。 |
