| 摘要 |
所发表者为用以制造以MOS场效装置及双极接面电晶体制在矽基质中的BICMOS积体电路的方法。其程序包含首先在每一电晶体用之基质内界定独立作用区之步骤。而后，将闸极介电层制造于晶片表面上。其次在此闸极介电质上面，则沉积第一多矽层。而后，系选择性蚀刻此第一矽层，以形成多个多矽构件并将每一此等构件予以彼此分开同样间隔。这些多矽构件包含MOS电晶体之闸极及NPN电晶体之外质基极接触。在已界定第一多矽构件后，再制造 NPN电晶体之基极区。于将第一多矽构件界定后，将一额外多矽层沉积于基质上，以使整个晶片表面再平面化。而后，蚀刻此额外多矽层，以形成多个第二多矽构件，这些多矽构件则与第一多矽构件电气隔离。将杂质自多矽构件扩散在基质内，以构成MOS电晶体之源极／排极区以及 NPN电晶体之外质基极和射极区。最后处理步骤则包含将 MOS与NPN电晶体相互连接所需之步骤。 |
