| 主权项 |
1.一种液晶显示装置,系具有:第1电极基板,其具有:[透明绝缘基板,扫描线及信号线(互相交叉于前述透明绝缘基板上配置成矩阵状),复数像素电极(分别设于前述扫描线及前述扫描线包围之位置),及复数多晶矽薄膜电晶体介由遮光膜(以非结晶半导体膜制作)及绝缘膜形成于前述透明绝缘基板上,该遮光膜系对前述电晶体之活性层遮光,前述各电晶体之源极系连接于前述信号线,而汲极系连接于前述像素电极)];第2电极基板(具有对向电极);液晶(插入密封于前述第1,第2电极基板间);上述遮光膜之光学浓度値OD2之可视领域为1以上,该光学浓度値OD2系OD2=-log10T()(其中,系光之波长T()系各波长之穿透率a,b系可视光端之波长,a=400nm,b=700nm)。2.如申请专利范围第1项所述之液晶显示装置,其中,上述遮光膜,系在前述透明绝缘基板上方,构成独立之岛状,在该岛状遮光膜上依序形成前述绝缘膜及前述活性层。3.如申请专利范围第2项所述之液晶显示装置,其中上述遮光层,系与前述活性层以平面成为同一形状予以图型化。4.如申请专利范围第2项所述之液晶显示装置,其中上述扫描线或信号线,系介由层间绝缘膜,形成与像素电极之端部重叠。5.如申请专利范围第1项所述之液晶显示装置,其中由与上述遮光层为同一层所形成之第2遮光层,系形成于相邻之一对像素电极间之领域。6.如申请专利范围第5项所述之液晶显示装置,其中在形成于前述一对像素电极间之领域之前述第2遮光层上方,配置覆盖该第2遮光层之蓝色着色层。7.如申请专利范围第1项所述之液晶显示装置,其中上述活性层,系将非晶质矽膜以激光雷射退火法制成多晶矽膜者。8.如申请专利范围第1项所述之液晶显示装置,其中在上述电晶体上方,形成对前述活性膜遮光之补助遮光膜。9.如申请专利范围第8项所述之液晶显示装置,其中由与补助遮光膜同一层形成之层,系与前述像素电极之端部重叠形成。图式简单说明:图1:实施例1之沿图9之B-C线切断之像素部断面图。图2:活性层或实施例1,5之遮光膜之平面图型图。图3:实施例2之沿图9之A-C线切断之像素部断面图。图4:实施例2之沿图9之B-C线切断之像素部断面图。图5:实施例3之沿图9之A-C线切断之像素部断面图。图6:实施例3之沿图9之B-C线切断之像素部断面图。图7:实施例4之沿图9之A-C线切断之像素部断面图。图8:实施例4之沿图9之A-C线切断之像素部断面图。图9:实施例1-4之像素部平面图。图10:表示实施例1~4之遮光膜及像素显示领域之平面图。图11:实施例5之沿图12之B-C线切断之像素部断面图。图12:实施例5之像素部之平面图。图13:表示图12之像素显示电极之平面图。图14:液晶显示装置之模式图。图15:将背光置于阵列基板侧时之电池之配置图。图16:将背光置于对向基板侧时之电池之配置图。 |
