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发明名称
偏移接合型多晶片半导体装置
摘要
本发明旨在藉着使上晶片对下晶片偏移,而以高可靠性方式利用凸块接合一下晶片与一上晶片,俾确保一具有足够面积的外部连接端子区。基板2的一面上配置有凸块1,且其另一面安装有一第一晶片3。一第二晶片4系透过凸块5、6而接合至第一晶片3,同时让第二晶片4相对于第一晶片3平行偏移。在第一晶片3与第二晶片4的接合状态中,第一晶片3之一部份与第二晶片4之一部份系在未对正两者中心下重叠的。第二晶片4的重心落在由第一晶片3与第二晶片4间之最外侧凸块所围绕的一区域内侧。
申请公布号
TW200527646
申请公布日期
2005.08.16
申请号
TW093136257
申请日期
2004.11.25
申请人
NEC电子股份有限公司
发明人
川野连也;松井聪
分类号
H01L25/00
主分类号
H01L25/00
代理机构
代理人
周良谋;周良吉
主权项
地址
日本
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