| 发明名称 | 具有软恢复特性的快恢复二极管结构 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种具有软恢复特性的快恢复二极管结构，它包括P+型阳极区域、N‑型轻掺杂区域、N+型阴极区域与高电离率区域，N‑型轻掺杂区域的正面为P+型阳极区域，N‑型轻掺杂区域的背面为N+型阴极区域；在N‑型轻掺杂区域内设有呈阵列排列的高电离率区域，且高电离率区域为矩形，高电离率区域的边沿与N‑型轻掺杂区域的边沿呈平行设置。本发明的二极管具有软恢复特性，使用时，反向恢复波形无振荡现象，有效地抑制了快恢复二极管给系统带来的电磁干扰，提供了系统的稳定性。 | ||
| 申请公布号 | CN106531812A | 申请公布日期 | 2017.03.22 |
| 申请号 | CN201710014443.X | 申请日期 | 2017.01.05 |
| 申请人 | 江苏中科君芯科技有限公司 | 发明人 | 程炜涛;许生根;王海军;叶甜春 |
| 分类号 | H01L29/861(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/861(2006.01)I |
| 代理机构 | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人 | 曹祖良;涂三民 |
| 主权项 | 一种具有软恢复特性的快恢复二极管结构，其特征是：它包括P+型阳极区域（1）、N‑型轻掺杂区域（2）、N+型阴极区域（3）与高电离率区域（4），N‑型轻掺杂区域（2）的正面为P+型阳极区域（1），N‑型轻掺杂区域（2）的背面为N+型阴极区域（3）；在N‑型轻掺杂区域（2）内设有呈阵列排列的高电离率区域（4），且高电离率区域（4）为矩形，高电离率区域（4）的边沿与N‑型轻掺杂区域（2）的边沿呈平行设置。 | ||
| 地址 | 214135 江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D2栋五层 | ||