| 发明名称 | NOR型闪存器件以及NOR型闪存器件制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种NOR型闪存器件以及NOR型闪存器件制造方法。根据本发明的NOR型闪存器件包括：形成在衬底中的源极和漏极、形成在衬底表面上的处于源极和漏极之间的栅极结构，其中所述栅极结构包括从下至上依次层叠的隧穿氧化层、浮栅层、绝缘ONO介质层和控制栅层；其中，绝缘ONO介质层包括从下至上依次层叠的第一氧化物层、氮化物层和第二氧化物层，其中第二氧化物层中掺有氮元素以形成N‑Si键。 | ||
| 申请公布号 | CN106449647A | 申请公布日期 | 2017.02.22 |
| 申请号 | CN201610924857.1 | 申请日期 | 2016.10.24 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 顾海芳;陈昊瑜;王奇伟;邹荣 |
| 分类号 | H01L27/11521(2017.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/11521(2017.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 智云 |
| 主权项 | 一种NOR型闪存器件，其特征在于包括：形成在衬底中的源极和漏极、形成在衬底表面上的处于源极和漏极之间的栅极结构，其中所述栅极结构包括从下至上依次层叠的隧穿氧化层、浮栅层、绝缘ONO介质层和控制栅层；其中，绝缘ONO介质层包括从下至上依次层叠的第一氧化物层、氮化物层和第二氧化物层，其中第二氧化物层中掺有氮元素以形成N‑Si键。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号 | ||