耗尽型功率晶体管的制造方法

摘要

本发明涉及一种耗尽型功率晶体管的制造方法，包括：在晶圆正面的第一导电类型衬底上形成第一场氧层；进行第二导电类型光刻与刻蚀；注入第二导电类型离子，在第一导电类型衬底内形成第二导电类型区；在晶圆正面生长第二场氧层；进行第二导电类型阱光刻和刻蚀；注入第二导电类型离子，在第二导电类型区两侧形成第二导电类型阱；进行耗尽层光刻与刻蚀；注入第一导电类型离子，在第二导电类型区两侧形成耗尽层；在晶圆正面形成多晶硅栅极和多晶硅场板；以多晶硅栅极和第二场氧层为掩膜进行第一导电类型离子的自对准注入，在第二导电类型阱内形成第一导电类型区。本发明利用第二场氧层作为第一导电类型离子的自对准注入时的掩膜，可节省一道光刻工序。

主权项

一种耗尽型功率晶体管的制造方法，所述耗尽型功率晶体管包括有源区和终端区，其特征在于，所述方法包括：在晶圆正面的第一导电类型衬底上形成第一场氧层；进行第二导电类型光刻与刻蚀，将第二导电类型注入窗口处的第一场氧层刻蚀掉；通过所述第二导电类型注入窗口注入第二导电类型离子并扩散，在所述第一导电类型衬底内形成第二导电类型区；在所述晶圆正面生长厚度小于所述第一场氧层的第二场氧层；进行第二导电类型阱光刻和刻蚀，将所述有源区的第二导电类型阱注入窗口处的第一场氧层刻蚀掉；通过所述第二导电类型阱注入窗口注入第二导电类型离子并扩散，在所述第二导电类型区两侧形成第二导电类型阱，且所述第二导电类型阱的掺杂浓度小于所述第二导电类型区的掺杂浓度；进行耗尽层光刻与刻蚀，将所述有源区的耗尽层注入窗口处的第一场氧层刻蚀掉；通过所述耗尽层注入窗口注入第一导电类型离子并扩散，在所述第二导电类型区两侧形成耗尽层且扩散后耗尽层的深度小于所述第二导电类型阱的深度；在所述晶圆正面形成多晶硅栅极和多晶硅场板；以所述多晶硅栅极和第二场氧层为掩膜进行第一导电类型离子的自对准注入，在所述第二导电类型阱内形成第一导电类型区；在所述晶圆正面进行介质层、接触孔及正面金属层的制备；进行所述耗尽型功率晶体管的背面工艺；所述第一导电类型和第二导电类型的导电类型相反。