| 摘要 |
파장 변환 장치, 이를 포함한 광원 시스템 및 프로젝션 시스템이 개시된다. 당해 파장 변환 장치는 파장 변환 재료층(10), 파장 변환 재료층(10)의 제1 측에 형성된 제1 필터막층(30), 및 파장 변환 재료층(10)과 제1 필터막층(30) 사이에 형성된 제1 열전도 매질층(20)을 포함한다. 제1 열전도 매질층(20)의 열전도율은 파장 변환 재료층(10)의 열전도율보다 크거나 그와 같으며, 그 굴절률은 파장 변환 재료층(10)의 굴절률보다 작다. [대표도] 도 2a-도 2d |
