セラミック配線基板、半導体装置、およびセラミック配線基板の製造方法

摘要

セラミックの前駆体を焼結させて板状に形成された基板に後から形成した上下導通孔内に、高融点金属からなる多孔質構造体を形成したのち低抵抗金属を溶浸させてなり、異常成長粒やボイド、クラック等がなく正常な複合構造を有する上、基板から脱落するおそれのない上下導通体を有するセラミック配線基板とその製造方法、ならびに当該セラミック配線基板を用いて構成される半導体装置を提供する。基板３の、複合構造を有する上下導通体４を形成する前の上下導通孔２の内面にＭｏ、Ｗ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｉｒ、Ｒｕ、およびＨｆからなる群より選ばれた少なくとも１種からなる中間層５を形成する。