发明名称 |
一种硫化钼/硒化钼复合材料及其制备和应用 |
摘要 |
本发明涉及一种硫化钼/硒化钼复合材料及其制备和应用,硫化钼/硒化钼复合材料为硫化钼纳米片表面原位生长硒化钼纳米片;其中硒化钼纳米片以卷曲的片状形式垂直生长在硫化钼纳米片层上。制备:通过超声辅助剥离法制备单层或少层硫化钼纳米片,再通过溶剂热法在单层或少层硫化钼纳米片上原位生长少层硒化钼纳米片。应用:在析氢催化剂、锂离子电池及超级电容器等能源领域有广泛的应用。本发明通过简单的制备工艺设计,在超声剥离的单层或少层硫化钼纳米片层上生长少层硒化钼纳米片层,获得具有多级孔的异质结构,改善其导电、催化等性能。 |
申请公布号 |
CN106099053A |
申请公布日期 |
2016.11.09 |
申请号 |
CN201610392008.6 |
申请日期 |
2016.06.03 |
申请人 |
东华大学 |
发明人 |
刘天西;张超;杨静;王开;刘思良;李乐 |
分类号 |
H01M4/36(2006.01)I;H01M4/58(2010.01)I;H01M4/62(2006.01)I;H01M10/0525(2010.01)I;H01G11/24(2013.01)I;H01G11/30(2013.01)I;H01G11/86(2013.01)I;B01J27/057(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
主分类号 |
H01M4/36(2006.01)I |
代理机构 |
上海泰能知识产权代理事务所 31233 |
代理人 |
黄志达 |
主权项 |
一种硫化钼/硒化钼复合材料,其特征在于:所述硫化钼/硒化钼复合材料为硫化钼纳米片表面原位生长硒化钼纳米片;其中硒化钼纳米片以卷曲的片状形式垂直生长在硫化钼纳米片层上。 |
地址 |
201620 上海市松江区松江新城人民北路2999号 |